Dane techniczne falowników

Dane techniczne falowników Podstawowy układ inwertera MOS i jego różne. Pozostałe podstawowe funktory logiczne oparte są na dwóch konfiguracjach:
a) z szeregowo połączonymi tranzystorami przełącznikowymi,
b) z równolegle połączonymi tranzystorami przełącznikowymi.
Podstawowe funkcje logiczne realizuje się w tym przypadku podobnie jak w układach dwufazowych: przez szeregowe i równoległe łączenie tranzystorów przełącznikowych. W niektórych spośród stosowanych konfiguracji układów dynamicznych czterofazowych można zrealizować układy o minimalnym opóźnieniu, co pozwala na zwiększenie liczby poziomów funkcji logicznych wykonywanych w jednym okresie powtarzania sygnałów zegarowych. Bardziej szczegółowe omówienie układów dynamicznych czterofazowych znajduje się w pracy.

Szczegóły strony www.lenze.falowniki.pl:

Komentarze:

Dodaj swój komentarz »

Podlinkuj stronę www.lenze.falowniki.pl:

Dane techniczne falowników

Odwiedziny robotów:

Odwiedziny yahoo 45 Odwiedziny googlebot 100

Zobacz podobne wpisy w tej kategorii:

  • Falownik LG akcesoria »

    Jednym z ograniczeń, które występują przy projektowaniu układu scalonego, jest liczba wejść i wyjść układu. Liczba ta jest uzależniona od dopuszczalnej liczby końcówek standardowych obudów. Kompromis między funkcjonalną złożonością układu logicznego a liczbą końcówek obudowy staje się coraz trudniejszy do rozwiązania w miarę wzrostu skali integracji i niekiedy zmusza do stosowania sztucznych rozwiązań, polegających na przykład na przypisywaniu końcówkom różnych funkcji zależnie od stanów logicznych na innych końcówkach. Dodatkowym ograniczeniem wnoszonym przez obudowę jest maksymalna moc, jaka może się wydzielić w strukturze scalonej zamykanej w obudowie, co limituje liczbę elementów, jakie mogą wejść w skład scalonej sieci logicznej.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Serwis układów falowników »

    Przekrój poprzeczny tranzystora MOS wykonanego technologią planarną. Na podłożu typu wykonano w wyniku dyfuzji obszary drenu i źródła. Powierzchnia krzemu pokryta jest warstwą izolatora (na ogół dwutlenku krzemu), na którego powierzchni znajdują się metaliczne połączenia między elementami układu scalonego MOS. Przez otwory (okna) w tej warstwie krzemu wykonane są połączenia do obszarów źródeł i drenu.
    Grubość warstwy dwutlenku krzemu wynosi około 1000 nm i jest to tzw. gruba warstwa tlenku. Nad obszarem kanału tranzystora MOS, między obszarami p źródła i drenu, grubość izolacyjnej warstwy tlenku wynosi tylko około 100 nm, co pozwala na sterowanie przewodnością tego kanału za pomocą potencjału elektrody bramki tranzystora MOS

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Napędy Danfoss »

    Powstawanie tranzystorów pasożytniczych MOS ogranicza dopuszczalne wartości napięć zasilania, jakie mogą być stosowane w układach scalonych MOS. Podano wartości uzyskiwanych napięć progowych UT i wartości napięć progowych UTF tranzystorów pasożytniczych dla czterech podstawowych technologii układów MOS z kanałem p:
    a) technologii wysoko progowej na krzemie o orientacji krystalograficznej (111) z bramką aluminiową:
    b) technologii nisko progowej na krzemie o orientacji (100) z bramką aluminiową;
    c) technologii z izolatorem w postaci warstw dwutlenku krzemu Si02 i azotku krzemu Si3N4 na krzemie o orientacji (111) z bramką aluminiową;
    d) technologii nisko progowej na krzemie o orientacji (111) z bramką krzemową.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Opisy grawerowane silników »

    Małe rozmiary tranzystora MOS pozwalają na budowę układów scalonych o wielkiej i bardzo wielkiej skali integracji, zawierających obecnie w jednej strukturze do 105 tranzystorów MOS. Jednocześnie prosta technologia pozwala na osiąganie uzysku sprawnych układów MOS dostatecznie dużego na to, aby ich produkcja była opłacalna.
    Rezystancja wejściowa tranzystorów MOS jest na tyle duża, że możliwe jest włączenie ich przez zgromadzenie ładunku na pojemności bramki takiego tranzystora. Właściwość ta jest wykorzystywana w konstrukcji układów dynamicznych MOS — logicznych i pamięciowych.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Falowniki przemysłowe »

    Po zaprojektowaniu sieci kombinacyjnej i sekwencyjnej, realizującej daną funkcję logiczną, przechodzi się do etapu realizacji projektu, korzystając z elementów dynamicznych MOS określonego typu: dwufazowych współczynnikowych lub bez współczynnikowych bądź czterofazowych. Przy tym muszą być spełnione warunki dotyczące możliwości obciążenia stopni sterowanych kolejnymi fazami sygnału zegarowego przez układy sterowane innymi fazami. Tak zrealizowany projekt poddaje się procesowi minimalizacji liczby elementów. Ten etap projektowania układów scalonych MOS jest szczególnie trudny i osiągnięte wyniki zależą w znacznym stopniu od doświadczenia i wyobraźni projektanta. Każdy z producentów układów scalonych MOS ma własne, pilnie strzeżone metody projektowania układów wielkoscalonych MOS. Z tego względu literatura na ten temat jest bardzo uboga.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Przekładnie przemysłowe »

    Następny etap rozwoju układów MOS o wielkiej skali integracji to pamięci półprzewodnikowe. Każda komórka pamięci w pamięciach statycznych zawiera statyczny przerzutnik złożony z dwóch połączonych inwerterów. Dodatkowe tranzystory MOS umożliwiają zapis i odczyt informacji z komórki. Typowym przedstawicielem takich pamięci jest 1024-bitowa pamięć statyczna o dostępie swobodnym 2102 A, w której zastosowano przerzutniki złożone z inwerterów statycznych typu 3, z tranzystorami o kanale n. Czas dostępu wynosi 500 ns (czas cyklu także 500 ns), a moc pobierana około 150 mW. Obecnie produkuje się już pamięci statyczne o pojemnościach do 8192 bitów. Czasy dostępu/cyklu różnych wersji pamięci statycznych MOS wynoszą 100-1000 ns, a moce pobierane 0, 1-M mW/bit.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Sterowanie napędami »

    Jeżeli nie podejmie się odpowiednich kroków dla właściwego dopasowania linii przesyłowych, to przesyłany sygnał cyfrowy zostanie zniekształcony wskutek odbić na końcach linii. Może to doprowadzić do przedłużenia rzeczywistego czasu propagacji sygnału wskutek tego, że zniekształcony sygnał, cyfrowy nie osiągnie poziomu przekraczającego ustalony poziom progowy.
    Należy także wspomnieć o przesłuchach będących wynikiem przenoszenia się wielko częstotliwościowych składowych sygnału z jednego przewodu na inne. Jest to szczególnie ważne tam, gdzie gęstość upakowania układów scalonych jest duża lub gdzie sygnały przesyłane są na duże odległości liniami przesyłowymi nieekranowanymi.
    Omówienie tych podstawowych zagadnień przesyłania sygnałów cyfrowych poprzedzimy krótkim przypomnieniem teorii linii przesyłowych oraz omówieniem parametrów powszechnie stosowanych typów linii.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Reduktory małych mocy »

    Długość przewodów oraz dwukierunkowość przesyłania sygnałów w szynie długiej determinują jej budowę. Jest to zespół dwukierunkowych linii przesyłowych z dopasowaniem równoległym z obydwu końców. Wzdłuż linii przesyłowej szyny można łączyć w dowolnym miejscu nadajniki i odbiorniki szyny. Ich parametry — rezystancja wejściowa i pojemność wejściowa dla odbiornika oraz upływność wyłączonego nadajnika i jego pojemność powinny być takie, aby zmiany parametrów falowych linii przesyłowej po ich przyłączeniu były nieznaczne.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Reduktor typu NMRV »

    Przesyłanie sygnałów cyfrowych w warunkach dużych zakłóceń lub na znaczne odległości wymaga stosowania specjalnych nadajników i odbiorników linii oraz właściwego wyboru linii przesyłowych. Przy niewielkich długościach linii można stosować linie koncentryczne, zapewniające ochronę przed zakłóceniami, ale ze względu na duży koszt celowe jest stosowanie znacznie tańszych linii płaskich lub skrętek (symetrycznych lub asymetrycznych).
    Sygnały cyfrowe można przesyłać w postaci unipolarnych sygnałów liniami jednoprzewodowymi ekranowanymi lub nieekranowanymi (przewodem powrotnym sygnału jest wspólny dla nadajnika i odbiornika przewód masy) albo w postaci sygnałów różnicowych dwuprzewodowymi asymetrycznymi przesyłowymi (na ogół nieekranowanymi).

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Softstarty Lovato »

    Jednoprzewodowe przesyłanie sygnałów cyfrowych stosowane jest tam, gdzie poziom zakłóceń indukowanych na przewodach linii przesyłowej jest niewielki oraz gdzie różnica potencjałów mas odbiornika i nadajnika jest znacznie mniejsza od minimalnej odporności odbiornika na zakłócenia.
    Przy jednoprzewodowym przesyłaniu sygnałów cyfrowych występuje jeszcze jeden rodzaj zakłóceń, które mają znaczny wpływ na możliwości przesyłania cyfrowych sygnałów unipolarnych. Są to przesłuchy między liniami przesyłowymi. Z tego względu wielu producentów sprzętu cyfrowego nie dopuszcza stosowania nieekranowanych linii przesyłowych, a stosowanie częściowo ekranowych niesymetrycznych linii przesyłowych (skrętki, w których jeden z przewodów jest przewodem sygnałowym, a drugi jest z obydwu końców przyłączony do masy podzespołów dopuszcza przy niewielkich odległościach, nie przekraczających kilkunastu metrów.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »

Najnowsze wiadomości: