Falowniki przemysłowe

Falowniki przemysłowe Po zaprojektowaniu sieci kombinacyjnej i sekwencyjnej, realizującej daną funkcję logiczną, przechodzi się do etapu realizacji projektu, korzystając z elementów dynamicznych MOS określonego typu: dwufazowych współczynnikowych lub bez współczynnikowych bądź czterofazowych. Przy tym muszą być spełnione warunki dotyczące możliwości obciążenia stopni sterowanych kolejnymi fazami sygnału zegarowego przez układy sterowane innymi fazami. Tak zrealizowany projekt poddaje się procesowi minimalizacji liczby elementów. Ten etap projektowania układów scalonych MOS jest szczególnie trudny i osiągnięte wyniki zależą w znacznym stopniu od doświadczenia i wyobraźni projektanta. Każdy z producentów układów scalonych MOS ma własne, pilnie strzeżone metody projektowania układów wielkoscalonych MOS. Z tego względu literatura na ten temat jest bardzo uboga.

Szczegóły strony www.lenze.net.pl:

Komentarze:

Dodaj swój komentarz »

Podlinkuj stronę www.lenze.net.pl:

Falowniki przemysłowe

Odwiedziny robotów:

Odwiedziny yahoo 44 Odwiedziny googlebot 60

Zobacz podobne wpisy w tej kategorii:

  • Sprzedaż falowników i przekładni »

    Oodstawowe układy TTL zaliczane do grupy układów o małej skali integracji. Naturalną tendencją konstruktorów jest dążenie do zwiększenia gęstości upakowania układów, a więc do zwiększenia skali integracji do poziomu, jaki umożliwia aktualny stan technologii półprzewodnikowych układów scalonych. Zwiększenie skali integracji układów scalonych jeszcze silniej uwypukla zalety koncepcji scalania. Rośnie szybkość przełączania układów i ich niezawodność, maleje zaś całkowita moc pobierana przez układy oraz zwiększa się ich gęstość upakowania. Stosowanie układów o zwiększonej skali integracji pozwala na uproszczenie i przyspieszenie projektowania i uruchamiania nowych urządzeń. Konstruktor urządzenia nie musi zajmować się projektami takich podzespołów jak liczniki, rejestry, dekodery, sumatory itd., może natomiast cały wysiłek skierować na optymalne wykorzystanie właściwości gotowych podzespołów — optymalne z punktu widzenia projektowanego urządzenia.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Sterowanie falownikami Vacon »

    W każdym tranzystorze jeden z emiterów jest połączony z jedną linią bitu, a drugi — ze wspólną linią słowa. W stanie spoczynku na linii słowa poziom napięcia jest niski, tak iż prąd przewodzącego tranzystora płynie do linii słowa. Dla odczytania informacji z komórki na linię słowa trzeba podać wysoki poziom napięcia. Prąd przewodzącego tranzystora zaczyna płynąć do odpowiadającej temu tranzystorowi linii bitu. Zmiana stanu linii bitu jest wykrywana przez wzmacniacz odczytu. W fazie zapisu komórka jest wybierana w podobny sposób jak przy odczycie. Przy wysokim potencjale na linii słowa stan przerzutnika jest ustalony zależnie od kombinacji napięć w liniach bitów. Przy niskim poziomie napięcia na linii słowa żadne zmiany na liniach bitów nie wpływają na stan komórki.
    Niezależnie od sposobu rozwiązania wewnętrznej sieci logicznej układu scalonego na wejściach i wyjściach układu stosuje się standardowe układy (por. opisy różnych bramek TTL) zapewniające możliwość współpracy z innymi układami na warunkach obowiązujących dla układów określonej serii TTL.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Serwis układów falowników »

    Przekrój poprzeczny tranzystora MOS wykonanego technologią planarną. Na podłożu typu wykonano w wyniku dyfuzji obszary drenu i źródła. Powierzchnia krzemu pokryta jest warstwą izolatora (na ogół dwutlenku krzemu), na którego powierzchni znajdują się metaliczne połączenia między elementami układu scalonego MOS. Przez otwory (okna) w tej warstwie krzemu wykonane są połączenia do obszarów źródeł i drenu.
    Grubość warstwy dwutlenku krzemu wynosi około 1000 nm i jest to tzw. gruba warstwa tlenku. Nad obszarem kanału tranzystora MOS, między obszarami p źródła i drenu, grubość izolacyjnej warstwy tlenku wynosi tylko około 100 nm, co pozwala na sterowanie przewodnością tego kanału za pomocą potencjału elektrody bramki tranzystora MOS

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Schematy falowników Siemens »

    W zależności od sposobu wykonania tranzystora MOS możliwe jest uzyskanie dwóch rodzajów tranzystorów:
    a) tranzystora, który może przewodzić prąd między źródłem a drenem przy zerowym napięciu UGS między bramką a źródłem (jest to tranzystor z kanałem zubożanym lub inaczej — tranzystor z kanałem wbudowanym);
    b) tranzystora, w którym dla uzyskania przewodnictwa między drenem a źródłem niezbędne jest przyłożenie między bramką a źródłem napięcia UGS większego od napięcia progowego tranzystora (jest to tranzystor z kanałem wzbogacanym lub inaczej — tranzystor z kanałem indukowanym).

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Napędy Danfoss »

    Powstawanie tranzystorów pasożytniczych MOS ogranicza dopuszczalne wartości napięć zasilania, jakie mogą być stosowane w układach scalonych MOS. Podano wartości uzyskiwanych napięć progowych UT i wartości napięć progowych UTF tranzystorów pasożytniczych dla czterech podstawowych technologii układów MOS z kanałem p:
    a) technologii wysoko progowej na krzemie o orientacji krystalograficznej (111) z bramką aluminiową:
    b) technologii nisko progowej na krzemie o orientacji (100) z bramką aluminiową;
    c) technologii z izolatorem w postaci warstw dwutlenku krzemu Si02 i azotku krzemu Si3N4 na krzemie o orientacji (111) z bramką aluminiową;
    d) technologii nisko progowej na krzemie o orientacji (111) z bramką krzemową.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Lenze dystrybutor »

    Tranzystory MOS mają kilka cech, które predestynują je do stosowania w cyfrowych układach scalonych. Są to następujące cechy.
    Jeżeli w układzie scalonym ograniczyć się do jednego typu tranzystorów, np. pMOS, to wszystkie tranzystory na tym samym podłożu są elektrycznie izolowane, gdyż potencjały występujące w układzie zapewniają polaryzację w kierunku zaporowym (lub w najgorszym razie polaryzację zerową) wszystkich złącz p-n. Nie ma więc potrzeby stosowania wysp izolowanych jak w układach bipolarnych. Jedynie w układach MOS o symetrii komplementarnej (zwanych układami COSMOS lub CMOS), zawierających tranzystory MOS, konieczne jest tworzenie wysp izolowanych dla tranzystorów nMOS.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Budowa maszyn treningowych dla koni »

    Pierwsze z produkowanych dwufazowe układy dynamiczne MOS były oparte na rozwiązaniach stosowanych w układach statycznych, a różniły się od nich jedynie impulsowym zasilaniem końcówki UGG. Rozwiązania późniejsze w istotny sposób odbiegały od swych statycznych pierwowzorów.
    Dalszym etapem rozwoju bez współczynnikowych układów dynamicznych MOS dwufazowych są układy czterofazowe, to jest sterowane czterema sygnałami zegarowymi. Dla układów czterofazowych charakterystyczne są trzy rodzaje pracy:
    1. Ładowanie wstępne. Tranzystor obciążenia włączony przez właściwy sygnał zegarowy ładuje kondensator wyjściowy układu.
    2. Warunkowe rozładowanie. W zależności od wartości napięcia wejściowego kondensator pamiętający zostaje rozładowany lub nie. -
    3. Pamiętanie sygnału. Ładunek na kondensatorze wyjściowym nie ulega zmianie.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Dane techniczne falowników »

    Podstawowy układ inwertera MOS i jego różne. Pozostałe podstawowe funktory logiczne oparte są na dwóch konfiguracjach:
    a) z szeregowo połączonymi tranzystorami przełącznikowymi,
    b) z równolegle połączonymi tranzystorami przełącznikowymi.
    Podstawowe funkcje logiczne realizuje się w tym przypadku podobnie jak w układach dwufazowych: przez szeregowe i równoległe łączenie tranzystorów przełącznikowych. W niektórych spośród stosowanych konfiguracji układów dynamicznych czterofazowych można zrealizować układy o minimalnym opóźnieniu, co pozwala na zwiększenie liczby poziomów funkcji logicznych wykonywanych w jednym okresie powtarzania sygnałów zegarowych. Bardziej szczegółowe omówienie układów dynamicznych czterofazowych znajduje się w pracy.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Przekładnie przemysłowe »

    Następny etap rozwoju układów MOS o wielkiej skali integracji to pamięci półprzewodnikowe. Każda komórka pamięci w pamięciach statycznych zawiera statyczny przerzutnik złożony z dwóch połączonych inwerterów. Dodatkowe tranzystory MOS umożliwiają zapis i odczyt informacji z komórki. Typowym przedstawicielem takich pamięci jest 1024-bitowa pamięć statyczna o dostępie swobodnym 2102 A, w której zastosowano przerzutniki złożone z inwerterów statycznych typu 3, z tranzystorami o kanale n. Czas dostępu wynosi 500 ns (czas cyklu także 500 ns), a moc pobierana około 150 mW. Obecnie produkuje się już pamięci statyczne o pojemnościach do 8192 bitów. Czasy dostępu/cyklu różnych wersji pamięci statycznych MOS wynoszą 100-1000 ns, a moce pobierane 0, 1-M mW/bit.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Napędy przemysłowe serwis »

    Jeżeli jedno z urządzeń wysyła dwa oddzielne sygnały do innego, poczynając od tego samego momentu, to z powodu różnej szybkości nadajników i odbiorników szyny i różnej szybkości propagacji sygnałów w przewodach szyny (wskutek różnego obciążenia pojemnościowego) może wystąpić opóźnienie tych sygnałów względem siebie. Układy współpracy z szyną UNIBUS są tak zaprojektowane, że ta różnica w czasie (skew) wynosi nie więcej niż 75 ns.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »

Najnowsze wiadomości: