Lenze dystrybutor

Lenze dystrybutor Tranzystory MOS mają kilka cech, które predestynują je do stosowania w cyfrowych układach scalonych. Są to następujące cechy.
Jeżeli w układzie scalonym ograniczyć się do jednego typu tranzystorów, np. pMOS, to wszystkie tranzystory na tym samym podłożu są elektrycznie izolowane, gdyż potencjały występujące w układzie zapewniają polaryzację w kierunku zaporowym (lub w najgorszym razie polaryzację zerową) wszystkich złącz p-n. Nie ma więc potrzeby stosowania wysp izolowanych jak w układach bipolarnych. Jedynie w układach MOS o symetrii komplementarnej (zwanych układami COSMOS lub CMOS), zawierających tranzystory MOS, konieczne jest tworzenie wysp izolowanych dla tranzystorów nMOS.

Szczegóły strony www.falowniki.shop.pl:

Komentarze:

Dodaj swój komentarz »

Podlinkuj stronę www.falowniki.shop.pl:

Lenze dystrybutor

Odwiedziny robotów:

Odwiedziny yahoo 38 Odwiedziny googlebot 52

Zobacz podobne wpisy w tej kategorii:

  • Falownik LG akcesoria »

    Jednym z ograniczeń, które występują przy projektowaniu układu scalonego, jest liczba wejść i wyjść układu. Liczba ta jest uzależniona od dopuszczalnej liczby końcówek standardowych obudów. Kompromis między funkcjonalną złożonością układu logicznego a liczbą końcówek obudowy staje się coraz trudniejszy do rozwiązania w miarę wzrostu skali integracji i niekiedy zmusza do stosowania sztucznych rozwiązań, polegających na przykład na przypisywaniu końcówkom różnych funkcji zależnie od stanów logicznych na innych końcówkach. Dodatkowym ograniczeniem wnoszonym przez obudowę jest maksymalna moc, jaka może się wydzielić w strukturze scalonej zamykanej w obudowie, co limituje liczbę elementów, jakie mogą wejść w skład scalonej sieci logicznej.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Sterowanie falownikami Vacon »

    W każdym tranzystorze jeden z emiterów jest połączony z jedną linią bitu, a drugi — ze wspólną linią słowa. W stanie spoczynku na linii słowa poziom napięcia jest niski, tak iż prąd przewodzącego tranzystora płynie do linii słowa. Dla odczytania informacji z komórki na linię słowa trzeba podać wysoki poziom napięcia. Prąd przewodzącego tranzystora zaczyna płynąć do odpowiadającej temu tranzystorowi linii bitu. Zmiana stanu linii bitu jest wykrywana przez wzmacniacz odczytu. W fazie zapisu komórka jest wybierana w podobny sposób jak przy odczycie. Przy wysokim potencjale na linii słowa stan przerzutnika jest ustalony zależnie od kombinacji napięć w liniach bitów. Przy niskim poziomie napięcia na linii słowa żadne zmiany na liniach bitów nie wpływają na stan komórki.
    Niezależnie od sposobu rozwiązania wewnętrznej sieci logicznej układu scalonego na wejściach i wyjściach układu stosuje się standardowe układy (por. opisy różnych bramek TTL) zapewniające możliwość współpracy z innymi układami na warunkach obowiązujących dla układów określonej serii TTL.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Serwis układów falowników »

    Przekrój poprzeczny tranzystora MOS wykonanego technologią planarną. Na podłożu typu wykonano w wyniku dyfuzji obszary drenu i źródła. Powierzchnia krzemu pokryta jest warstwą izolatora (na ogół dwutlenku krzemu), na którego powierzchni znajdują się metaliczne połączenia między elementami układu scalonego MOS. Przez otwory (okna) w tej warstwie krzemu wykonane są połączenia do obszarów źródeł i drenu.
    Grubość warstwy dwutlenku krzemu wynosi około 1000 nm i jest to tzw. gruba warstwa tlenku. Nad obszarem kanału tranzystora MOS, między obszarami p źródła i drenu, grubość izolacyjnej warstwy tlenku wynosi tylko około 100 nm, co pozwala na sterowanie przewodnością tego kanału za pomocą potencjału elektrody bramki tranzystora MOS

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Napędy Danfoss »

    Powstawanie tranzystorów pasożytniczych MOS ogranicza dopuszczalne wartości napięć zasilania, jakie mogą być stosowane w układach scalonych MOS. Podano wartości uzyskiwanych napięć progowych UT i wartości napięć progowych UTF tranzystorów pasożytniczych dla czterech podstawowych technologii układów MOS z kanałem p:
    a) technologii wysoko progowej na krzemie o orientacji krystalograficznej (111) z bramką aluminiową:
    b) technologii nisko progowej na krzemie o orientacji (100) z bramką aluminiową;
    c) technologii z izolatorem w postaci warstw dwutlenku krzemu Si02 i azotku krzemu Si3N4 na krzemie o orientacji (111) z bramką aluminiową;
    d) technologii nisko progowej na krzemie o orientacji (111) z bramką krzemową.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Opisy grawerowane silników »

    Małe rozmiary tranzystora MOS pozwalają na budowę układów scalonych o wielkiej i bardzo wielkiej skali integracji, zawierających obecnie w jednej strukturze do 105 tranzystorów MOS. Jednocześnie prosta technologia pozwala na osiąganie uzysku sprawnych układów MOS dostatecznie dużego na to, aby ich produkcja była opłacalna.
    Rezystancja wejściowa tranzystorów MOS jest na tyle duża, że możliwe jest włączenie ich przez zgromadzenie ładunku na pojemności bramki takiego tranzystora. Właściwość ta jest wykorzystywana w konstrukcji układów dynamicznych MOS — logicznych i pamięciowych.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Grawerowanie oznaczeń »

    Jednakże zasadniczą wadą tranzystorów MOS z kanałem n, wytwarzanych w zasadzie wyłącznie w krzemie o orientacji krystalograficznej (100) jest to, że są one normalnie włączone, to znaczy mają kanał wbudowany. Jednocześnie ładunek powierzchniowy w tlenku izolacyjnym na powierzchni krzemu powoduje powstanie, warstwy inwersyjnej w krzemie, zwierającej sąsiednie elementy.
    Można tego uniknąć przez zastosowanie dwóch środków:
    a) użycie bramki krzemowej zamiast bramki aluminiowej, która
    powoduje, że tranzystor z kanałem n jest normalnie wyłączony;
    b) zwiększenie przewodności powierzchniowej warstwy krzemu podłoża, co powoduje jednak zmniejszenie ruchliwości nośników i stratę zasadniczej zalety układów z tranzystorami n.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Budowa maszyn treningowych dla koni »

    Pierwsze z produkowanych dwufazowe układy dynamiczne MOS były oparte na rozwiązaniach stosowanych w układach statycznych, a różniły się od nich jedynie impulsowym zasilaniem końcówki UGG. Rozwiązania późniejsze w istotny sposób odbiegały od swych statycznych pierwowzorów.
    Dalszym etapem rozwoju bez współczynnikowych układów dynamicznych MOS dwufazowych są układy czterofazowe, to jest sterowane czterema sygnałami zegarowymi. Dla układów czterofazowych charakterystyczne są trzy rodzaje pracy:
    1. Ładowanie wstępne. Tranzystor obciążenia włączony przez właściwy sygnał zegarowy ładuje kondensator wyjściowy układu.
    2. Warunkowe rozładowanie. W zależności od wartości napięcia wejściowego kondensator pamiętający zostaje rozładowany lub nie. -
    3. Pamiętanie sygnału. Ładunek na kondensatorze wyjściowym nie ulega zmianie.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Automatyka prądu stałego »

    Przed przystąpieniem do omawiania szyny długiej i układów, jakie można w niej stosować, omówimy typową szynę stosowaną w minikomputerach PDP-11, zwaną UNIBUS, co pozwoli na uwypuklenie pewnych cech charakterystycznych dla wszystkich szyn długich.
    Szyna UNIBUS. Urządzenia peryferyjne, procesor i pamięć minikomputera PDP-11 są połączone za pomocą szyny UNIBUS według schematu.
    Sygnały. Szyna UNIBUS zawiera 56 przewodów do przesyłania sygnałów jednokierunkowych i dwukierunkowych. Sygnały jednokierunkowe to sygnały od podzespołów maszyny — procesora i urządzeń peryferyjnych do układu przyznawania kontroli nad szyną {układu koordynatora) oraz sygnały przyznania kontroli od tego układu do podzespołów maszyny. Sygnały dwukierunkowe to 16 sygnałów informacyjnych, 18 sygnałów adresowych oraz pewna liczba sygnałów sterujących.
    Wszystkie transmisje informacji poprzez szynę UNIBUS odbywają się między podzespołem, który otrzymał kontrolę nad szyną od układu koordynatora (master), a podzespołem podporządkowanym — zaadresowanym (slave).

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Napędy przemysłowe serwis »

    Jeżeli jedno z urządzeń wysyła dwa oddzielne sygnały do innego, poczynając od tego samego momentu, to z powodu różnej szybkości nadajników i odbiorników szyny i różnej szybkości propagacji sygnałów w przewodach szyny (wskutek różnego obciążenia pojemnościowego) może wystąpić opóźnienie tych sygnałów względem siebie. Układy współpracy z szyną UNIBUS są tak zaprojektowane, że ta różnica w czasie (skew) wynosi nie więcej niż 75 ns.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Reduktory małych mocy »

    Długość przewodów oraz dwukierunkowość przesyłania sygnałów w szynie długiej determinują jej budowę. Jest to zespół dwukierunkowych linii przesyłowych z dopasowaniem równoległym z obydwu końców. Wzdłuż linii przesyłowej szyny można łączyć w dowolnym miejscu nadajniki i odbiorniki szyny. Ich parametry — rezystancja wejściowa i pojemność wejściowa dla odbiornika oraz upływność wyłączonego nadajnika i jego pojemność powinny być takie, aby zmiany parametrów falowych linii przesyłowej po ich przyłączeniu były nieznaczne.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »

Najnowsze wiadomości: