Motoreduktory napędów automatyki

Motoreduktory napędów automatyki Sygnał MSYN dochodzi do każdego urządzenia, przy czym tylko jedno z nich staje się urządzeniem podporządkowanym (slave).
Urządzenie podporządkowane umieszcza na szynie dane do przesłania oraz wysyła sygnał ich synchronizacji SSYN. Aby urządzenie master mogło te dane odebrać poprawnie, sygnał SSYN powinien pojawić się na wejściu nadajnika szyny (w urządzeniu slave) później niż sygnały danych.
Po przejściu przez szynę sygnał SSYN dochodzi do urządzenia master gdzie jest opóźniony co najmniej o 75 ns, dla uwzględnienia różnicy czasów propagacji sygnałów w szynie.
Po opóźnieniu następuje strobowanie danych z wejścia.
Urządzenie master kończy sygnał MSYN.
Po opóźnieniu końcowym nie krótszym niż 75 ns następuje zdjęcie z szyny sygnałów adresowych i kontrolnych. Opóźnienie to gwarantuje, że poziom sygnałów adresowych nie zmieni się w żadnym urządzeniu w tym czasie, gdy sygnał MSYN ma jeszcze poziom niski. Zapobiega to fałszywemu wybraniu urządzenia wskutek zmian sygnałów adresowanych przy niskim poziomie sygnału MSYN.

Szczegóły strony www.przekladnie.info:

Komentarze:

Dodaj swój komentarz »

Podlinkuj stronę www.przekladnie.info:

Motoreduktory napędów automatyki

Odwiedziny robotów:

Odwiedziny yahoo 41 Odwiedziny googlebot 55

Zobacz podobne wpisy w tej kategorii:

  • Sterowanie falownikami Vacon »

    W każdym tranzystorze jeden z emiterów jest połączony z jedną linią bitu, a drugi — ze wspólną linią słowa. W stanie spoczynku na linii słowa poziom napięcia jest niski, tak iż prąd przewodzącego tranzystora płynie do linii słowa. Dla odczytania informacji z komórki na linię słowa trzeba podać wysoki poziom napięcia. Prąd przewodzącego tranzystora zaczyna płynąć do odpowiadającej temu tranzystorowi linii bitu. Zmiana stanu linii bitu jest wykrywana przez wzmacniacz odczytu. W fazie zapisu komórka jest wybierana w podobny sposób jak przy odczycie. Przy wysokim potencjale na linii słowa stan przerzutnika jest ustalony zależnie od kombinacji napięć w liniach bitów. Przy niskim poziomie napięcia na linii słowa żadne zmiany na liniach bitów nie wpływają na stan komórki.
    Niezależnie od sposobu rozwiązania wewnętrznej sieci logicznej układu scalonego na wejściach i wyjściach układu stosuje się standardowe układy (por. opisy różnych bramek TTL) zapewniające możliwość współpracy z innymi układami na warunkach obowiązujących dla układów określonej serii TTL.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Schematy falowników Siemens »

    W zależności od sposobu wykonania tranzystora MOS możliwe jest uzyskanie dwóch rodzajów tranzystorów:
    a) tranzystora, który może przewodzić prąd między źródłem a drenem przy zerowym napięciu UGS między bramką a źródłem (jest to tranzystor z kanałem zubożanym lub inaczej — tranzystor z kanałem wbudowanym);
    b) tranzystora, w którym dla uzyskania przewodnictwa między drenem a źródłem niezbędne jest przyłożenie między bramką a źródłem napięcia UGS większego od napięcia progowego tranzystora (jest to tranzystor z kanałem wzbogacanym lub inaczej — tranzystor z kanałem indukowanym).

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Napędy Danfoss »

    Powstawanie tranzystorów pasożytniczych MOS ogranicza dopuszczalne wartości napięć zasilania, jakie mogą być stosowane w układach scalonych MOS. Podano wartości uzyskiwanych napięć progowych UT i wartości napięć progowych UTF tranzystorów pasożytniczych dla czterech podstawowych technologii układów MOS z kanałem p:
    a) technologii wysoko progowej na krzemie o orientacji krystalograficznej (111) z bramką aluminiową:
    b) technologii nisko progowej na krzemie o orientacji (100) z bramką aluminiową;
    c) technologii z izolatorem w postaci warstw dwutlenku krzemu Si02 i azotku krzemu Si3N4 na krzemie o orientacji (111) z bramką aluminiową;
    d) technologii nisko progowej na krzemie o orientacji (111) z bramką krzemową.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Lenze dystrybutor »

    Tranzystory MOS mają kilka cech, które predestynują je do stosowania w cyfrowych układach scalonych. Są to następujące cechy.
    Jeżeli w układzie scalonym ograniczyć się do jednego typu tranzystorów, np. pMOS, to wszystkie tranzystory na tym samym podłożu są elektrycznie izolowane, gdyż potencjały występujące w układzie zapewniają polaryzację w kierunku zaporowym (lub w najgorszym razie polaryzację zerową) wszystkich złącz p-n. Nie ma więc potrzeby stosowania wysp izolowanych jak w układach bipolarnych. Jedynie w układach MOS o symetrii komplementarnej (zwanych układami COSMOS lub CMOS), zawierających tranzystory MOS, konieczne jest tworzenie wysp izolowanych dla tranzystorów nMOS.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Opisy grawerowane silników »

    Małe rozmiary tranzystora MOS pozwalają na budowę układów scalonych o wielkiej i bardzo wielkiej skali integracji, zawierających obecnie w jednej strukturze do 105 tranzystorów MOS. Jednocześnie prosta technologia pozwala na osiąganie uzysku sprawnych układów MOS dostatecznie dużego na to, aby ich produkcja była opłacalna.
    Rezystancja wejściowa tranzystorów MOS jest na tyle duża, że możliwe jest włączenie ich przez zgromadzenie ładunku na pojemności bramki takiego tranzystora. Właściwość ta jest wykorzystywana w konstrukcji układów dynamicznych MOS — logicznych i pamięciowych.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Budowa maszyn treningowych dla koni »

    Pierwsze z produkowanych dwufazowe układy dynamiczne MOS były oparte na rozwiązaniach stosowanych w układach statycznych, a różniły się od nich jedynie impulsowym zasilaniem końcówki UGG. Rozwiązania późniejsze w istotny sposób odbiegały od swych statycznych pierwowzorów.
    Dalszym etapem rozwoju bez współczynnikowych układów dynamicznych MOS dwufazowych są układy czterofazowe, to jest sterowane czterema sygnałami zegarowymi. Dla układów czterofazowych charakterystyczne są trzy rodzaje pracy:
    1. Ładowanie wstępne. Tranzystor obciążenia włączony przez właściwy sygnał zegarowy ładuje kondensator wyjściowy układu.
    2. Warunkowe rozładowanie. W zależności od wartości napięcia wejściowego kondensator pamiętający zostaje rozładowany lub nie. -
    3. Pamiętanie sygnału. Ładunek na kondensatorze wyjściowym nie ulega zmianie.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Dane techniczne falowników »

    Podstawowy układ inwertera MOS i jego różne. Pozostałe podstawowe funktory logiczne oparte są na dwóch konfiguracjach:
    a) z szeregowo połączonymi tranzystorami przełącznikowymi,
    b) z równolegle połączonymi tranzystorami przełącznikowymi.
    Podstawowe funkcje logiczne realizuje się w tym przypadku podobnie jak w układach dwufazowych: przez szeregowe i równoległe łączenie tranzystorów przełącznikowych. W niektórych spośród stosowanych konfiguracji układów dynamicznych czterofazowych można zrealizować układy o minimalnym opóźnieniu, co pozwala na zwiększenie liczby poziomów funkcji logicznych wykonywanych w jednym okresie powtarzania sygnałów zegarowych. Bardziej szczegółowe omówienie układów dynamicznych czterofazowych znajduje się w pracy.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Przekładnie przemysłowe »

    Następny etap rozwoju układów MOS o wielkiej skali integracji to pamięci półprzewodnikowe. Każda komórka pamięci w pamięciach statycznych zawiera statyczny przerzutnik złożony z dwóch połączonych inwerterów. Dodatkowe tranzystory MOS umożliwiają zapis i odczyt informacji z komórki. Typowym przedstawicielem takich pamięci jest 1024-bitowa pamięć statyczna o dostępie swobodnym 2102 A, w której zastosowano przerzutniki złożone z inwerterów statycznych typu 3, z tranzystorami o kanale n. Czas dostępu wynosi 500 ns (czas cyklu także 500 ns), a moc pobierana około 150 mW. Obecnie produkuje się już pamięci statyczne o pojemnościach do 8192 bitów. Czasy dostępu/cyklu różnych wersji pamięci statycznych MOS wynoszą 100-1000 ns, a moce pobierane 0, 1-M mW/bit.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Sterowanie przemiennikami »

    W maszynie cyfrowej wykorzystującej szynę może jednocześnie odbywać się tylko jedna transmisja między dwoma dowolnymi spośród urządzeń przyłączonych do szyny długiej. W tej sytuacji jedyny sposób zwiększenia szybkości działania tej maszyny polega na zwiększeniu szybkości przesyłania sygnału przez szynę, zwiększenie bowiem szybkości działania procesora czy zmniejszenie czasu cyklu pamięci przez zastosowanie układów scalonych o bardzo dużej szybkości przełączania nie będzie miało wpływu na szybkość przesyłania informacji w szynie. Szybkość przesyłania informacji w szynie zależy od:
    — czasu propagacji sygnału przez nadajniki szyny,
    — czasu propagacji sygnału wzdłuż linii przesyłowych tworzących szynę,
    — różnicy czasu propagacji różnych sygnałów wzdłuż różnych przewodów szyny,
    — czasu propagacji sygnału przez odbiorniki szyny.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Reduktory małych mocy »

    Długość przewodów oraz dwukierunkowość przesyłania sygnałów w szynie długiej determinują jej budowę. Jest to zespół dwukierunkowych linii przesyłowych z dopasowaniem równoległym z obydwu końców. Wzdłuż linii przesyłowej szyny można łączyć w dowolnym miejscu nadajniki i odbiorniki szyny. Ich parametry — rezystancja wejściowa i pojemność wejściowa dla odbiornika oraz upływność wyłączonego nadajnika i jego pojemność powinny być takie, aby zmiany parametrów falowych linii przesyłowej po ich przyłączeniu były nieznaczne.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »

Najnowsze wiadomości: