Opisy grawerowane silników

Opisy grawerowane silników Małe rozmiary tranzystora MOS pozwalają na budowę układów scalonych o wielkiej i bardzo wielkiej skali integracji, zawierających obecnie w jednej strukturze do 105 tranzystorów MOS. Jednocześnie prosta technologia pozwala na osiąganie uzysku sprawnych układów MOS dostatecznie dużego na to, aby ich produkcja była opłacalna.
Rezystancja wejściowa tranzystorów MOS jest na tyle duża, że możliwe jest włączenie ich przez zgromadzenie ładunku na pojemności bramki takiego tranzystora. Właściwość ta jest wykorzystywana w konstrukcji układów dynamicznych MOS — logicznych i pamięciowych.

Szczegóły strony www.grawerowane.info:

Komentarze:

Dodaj swój komentarz »

Podlinkuj stronę www.grawerowane.info:

Opisy grawerowane silników

Odwiedziny robotów:

Odwiedziny yahoo 36 Odwiedziny googlebot 68

Zobacz podobne wpisy w tej kategorii:

  • Sprzedaż falowników i przekładni »

    Oodstawowe układy TTL zaliczane do grupy układów o małej skali integracji. Naturalną tendencją konstruktorów jest dążenie do zwiększenia gęstości upakowania układów, a więc do zwiększenia skali integracji do poziomu, jaki umożliwia aktualny stan technologii półprzewodnikowych układów scalonych. Zwiększenie skali integracji układów scalonych jeszcze silniej uwypukla zalety koncepcji scalania. Rośnie szybkość przełączania układów i ich niezawodność, maleje zaś całkowita moc pobierana przez układy oraz zwiększa się ich gęstość upakowania. Stosowanie układów o zwiększonej skali integracji pozwala na uproszczenie i przyspieszenie projektowania i uruchamiania nowych urządzeń. Konstruktor urządzenia nie musi zajmować się projektami takich podzespołów jak liczniki, rejestry, dekodery, sumatory itd., może natomiast cały wysiłek skierować na optymalne wykorzystanie właściwości gotowych podzespołów — optymalne z punktu widzenia projektowanego urządzenia.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Falownik LG akcesoria »

    Jednym z ograniczeń, które występują przy projektowaniu układu scalonego, jest liczba wejść i wyjść układu. Liczba ta jest uzależniona od dopuszczalnej liczby końcówek standardowych obudów. Kompromis między funkcjonalną złożonością układu logicznego a liczbą końcówek obudowy staje się coraz trudniejszy do rozwiązania w miarę wzrostu skali integracji i niekiedy zmusza do stosowania sztucznych rozwiązań, polegających na przykład na przypisywaniu końcówkom różnych funkcji zależnie od stanów logicznych na innych końcówkach. Dodatkowym ograniczeniem wnoszonym przez obudowę jest maksymalna moc, jaka może się wydzielić w strukturze scalonej zamykanej w obudowie, co limituje liczbę elementów, jakie mogą wejść w skład scalonej sieci logicznej.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Serwis układów falowników »

    Przekrój poprzeczny tranzystora MOS wykonanego technologią planarną. Na podłożu typu wykonano w wyniku dyfuzji obszary drenu i źródła. Powierzchnia krzemu pokryta jest warstwą izolatora (na ogół dwutlenku krzemu), na którego powierzchni znajdują się metaliczne połączenia między elementami układu scalonego MOS. Przez otwory (okna) w tej warstwie krzemu wykonane są połączenia do obszarów źródeł i drenu.
    Grubość warstwy dwutlenku krzemu wynosi około 1000 nm i jest to tzw. gruba warstwa tlenku. Nad obszarem kanału tranzystora MOS, między obszarami p źródła i drenu, grubość izolacyjnej warstwy tlenku wynosi tylko około 100 nm, co pozwala na sterowanie przewodnością tego kanału za pomocą potencjału elektrody bramki tranzystora MOS

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Schematy falowników Siemens »

    W zależności od sposobu wykonania tranzystora MOS możliwe jest uzyskanie dwóch rodzajów tranzystorów:
    a) tranzystora, który może przewodzić prąd między źródłem a drenem przy zerowym napięciu UGS między bramką a źródłem (jest to tranzystor z kanałem zubożanym lub inaczej — tranzystor z kanałem wbudowanym);
    b) tranzystora, w którym dla uzyskania przewodnictwa między drenem a źródłem niezbędne jest przyłożenie między bramką a źródłem napięcia UGS większego od napięcia progowego tranzystora (jest to tranzystor z kanałem wzbogacanym lub inaczej — tranzystor z kanałem indukowanym).

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Lenze dystrybutor »

    Tranzystory MOS mają kilka cech, które predestynują je do stosowania w cyfrowych układach scalonych. Są to następujące cechy.
    Jeżeli w układzie scalonym ograniczyć się do jednego typu tranzystorów, np. pMOS, to wszystkie tranzystory na tym samym podłożu są elektrycznie izolowane, gdyż potencjały występujące w układzie zapewniają polaryzację w kierunku zaporowym (lub w najgorszym razie polaryzację zerową) wszystkich złącz p-n. Nie ma więc potrzeby stosowania wysp izolowanych jak w układach bipolarnych. Jedynie w układach MOS o symetrii komplementarnej (zwanych układami COSMOS lub CMOS), zawierających tranzystory MOS, konieczne jest tworzenie wysp izolowanych dla tranzystorów nMOS.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Falowniki przemysłowe »

    Po zaprojektowaniu sieci kombinacyjnej i sekwencyjnej, realizującej daną funkcję logiczną, przechodzi się do etapu realizacji projektu, korzystając z elementów dynamicznych MOS określonego typu: dwufazowych współczynnikowych lub bez współczynnikowych bądź czterofazowych. Przy tym muszą być spełnione warunki dotyczące możliwości obciążenia stopni sterowanych kolejnymi fazami sygnału zegarowego przez układy sterowane innymi fazami. Tak zrealizowany projekt poddaje się procesowi minimalizacji liczby elementów. Ten etap projektowania układów scalonych MOS jest szczególnie trudny i osiągnięte wyniki zależą w znacznym stopniu od doświadczenia i wyobraźni projektanta. Każdy z producentów układów scalonych MOS ma własne, pilnie strzeżone metody projektowania układów wielkoscalonych MOS. Z tego względu literatura na ten temat jest bardzo uboga.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Falownik LG serwis »

    Jednakże dynamiczne rejestry przesuwające mają pewne zalety, które sprawiają, że są one szeroko stosowane. Impulsowe włączanie rezystorów obciążenia przez sygnał zegarowy powoduje, że moc tracona w przeliczeniu na 1 bit jest w nich znacznie mniejsza niż w innych układach. Ponadto w układach bez współczynnikowych stosowane są jednakowe tranzystory, o rozmiarach określonych jedynie przez pożądaną maksymalną częstotliwość pracy układu, znacznie mniejsze od typowych tranzystorów układów statycznych. Pozwala to na zmniejszenie powierzchni podłoża w stosunku do powierzchni podłoża rejestrów statycznych o takiej samej pojemności lub umieszczenie znacznie większej liczby bitów na tej samej powierzchni. Ma to zasadniczy wpływ na uzysk sprawnych układów w procesie produkcyjnym, a więc i na ich cenę. Małe rozmiary użytych tranzystorów pozwalają na zmniejszenie wszystkich pojemności pasożytniczych w układzie, a więc na skrócenie czasów przełączania. Tak na przykład, typowy dynamiczny dwufazowy rejestr przesuwający typu Am 1404A o pojemności 1024 bitów ma minimalną częstotliwość sygnału wejściowego 600 Hz w temperaturze T= 25°C (10 kHz w temperaturze 70°C), a maksymalną równą 5 MHz, przy czym moc pobierana nie przekracza 250 mW.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Napędy przemysłowe serwis »

    Jeżeli jedno z urządzeń wysyła dwa oddzielne sygnały do innego, poczynając od tego samego momentu, to z powodu różnej szybkości nadajników i odbiorników szyny i różnej szybkości propagacji sygnałów w przewodach szyny (wskutek różnego obciążenia pojemnościowego) może wystąpić opóźnienie tych sygnałów względem siebie. Układy współpracy z szyną UNIBUS są tak zaprojektowane, że ta różnica w czasie (skew) wynosi nie więcej niż 75 ns.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Motoreduktory napędów automatyki »

    Sygnał MSYN dochodzi do każdego urządzenia, przy czym tylko jedno z nich staje się urządzeniem podporządkowanym (slave).
    Urządzenie podporządkowane umieszcza na szynie dane do przesłania oraz wysyła sygnał ich synchronizacji SSYN. Aby urządzenie master mogło te dane odebrać poprawnie, sygnał SSYN powinien pojawić się na wejściu nadajnika szyny (w urządzeniu slave) później niż sygnały danych.
    Po przejściu przez szynę sygnał SSYN dochodzi do urządzenia master gdzie jest opóźniony co najmniej o 75 ns, dla uwzględnienia różnicy czasów propagacji sygnałów w szynie.
    Po opóźnieniu następuje strobowanie danych z wejścia.
    Urządzenie master kończy sygnał MSYN.
    Po opóźnieniu końcowym nie krótszym niż 75 ns następuje zdjęcie z szyny sygnałów adresowych i kontrolnych. Opóźnienie to gwarantuje, że poziom sygnałów adresowych nie zmieni się w żadnym urządzeniu w tym czasie, gdy sygnał MSYN ma jeszcze poziom niski. Zapobiega to fałszywemu wybraniu urządzenia wskutek zmian sygnałów adresowanych przy niskim poziomie sygnału MSYN.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Reduktor typu NMRV »

    Przesyłanie sygnałów cyfrowych w warunkach dużych zakłóceń lub na znaczne odległości wymaga stosowania specjalnych nadajników i odbiorników linii oraz właściwego wyboru linii przesyłowych. Przy niewielkich długościach linii można stosować linie koncentryczne, zapewniające ochronę przed zakłóceniami, ale ze względu na duży koszt celowe jest stosowanie znacznie tańszych linii płaskich lub skrętek (symetrycznych lub asymetrycznych).
    Sygnały cyfrowe można przesyłać w postaci unipolarnych sygnałów liniami jednoprzewodowymi ekranowanymi lub nieekranowanymi (przewodem powrotnym sygnału jest wspólny dla nadajnika i odbiornika przewód masy) albo w postaci sygnałów różnicowych dwuprzewodowymi asymetrycznymi przesyłowymi (na ogół nieekranowanymi).

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »

Najnowsze wiadomości: