Opisy grawerowane silników

Opisy grawerowane silników Małe rozmiary tranzystora MOS pozwalają na budowę układów scalonych o wielkiej i bardzo wielkiej skali integracji, zawierających obecnie w jednej strukturze do 105 tranzystorów MOS. Jednocześnie prosta technologia pozwala na osiąganie uzysku sprawnych układów MOS dostatecznie dużego na to, aby ich produkcja była opłacalna.
Rezystancja wejściowa tranzystorów MOS jest na tyle duża, że możliwe jest włączenie ich przez zgromadzenie ładunku na pojemności bramki takiego tranzystora. Właściwość ta jest wykorzystywana w konstrukcji układów dynamicznych MOS — logicznych i pamięciowych.

Szczegóły strony www.grawerowane.info:

Komentarze:

Dodaj swój komentarz »

Podlinkuj stronę www.grawerowane.info:

Opisy grawerowane silników

Odwiedziny robotów:

Odwiedziny yahoo 39 Odwiedziny googlebot 81

Zobacz podobne wpisy w tej kategorii:

  • Sprzedaż falowników i przekładni »

    Oodstawowe układy TTL zaliczane do grupy układów o małej skali integracji. Naturalną tendencją konstruktorów jest dążenie do zwiększenia gęstości upakowania układów, a więc do zwiększenia skali integracji do poziomu, jaki umożliwia aktualny stan technologii półprzewodnikowych układów scalonych. Zwiększenie skali integracji układów scalonych jeszcze silniej uwypukla zalety koncepcji scalania. Rośnie szybkość przełączania układów i ich niezawodność, maleje zaś całkowita moc pobierana przez układy oraz zwiększa się ich gęstość upakowania. Stosowanie układów o zwiększonej skali integracji pozwala na uproszczenie i przyspieszenie projektowania i uruchamiania nowych urządzeń. Konstruktor urządzenia nie musi zajmować się projektami takich podzespołów jak liczniki, rejestry, dekodery, sumatory itd., może natomiast cały wysiłek skierować na optymalne wykorzystanie właściwości gotowych podzespołów — optymalne z punktu widzenia projektowanego urządzenia.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Falownik LG akcesoria »

    Jednym z ograniczeń, które występują przy projektowaniu układu scalonego, jest liczba wejść i wyjść układu. Liczba ta jest uzależniona od dopuszczalnej liczby końcówek standardowych obudów. Kompromis między funkcjonalną złożonością układu logicznego a liczbą końcówek obudowy staje się coraz trudniejszy do rozwiązania w miarę wzrostu skali integracji i niekiedy zmusza do stosowania sztucznych rozwiązań, polegających na przykład na przypisywaniu końcówkom różnych funkcji zależnie od stanów logicznych na innych końcówkach. Dodatkowym ograniczeniem wnoszonym przez obudowę jest maksymalna moc, jaka może się wydzielić w strukturze scalonej zamykanej w obudowie, co limituje liczbę elementów, jakie mogą wejść w skład scalonej sieci logicznej.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Sterowanie falownikami Vacon »

    W każdym tranzystorze jeden z emiterów jest połączony z jedną linią bitu, a drugi — ze wspólną linią słowa. W stanie spoczynku na linii słowa poziom napięcia jest niski, tak iż prąd przewodzącego tranzystora płynie do linii słowa. Dla odczytania informacji z komórki na linię słowa trzeba podać wysoki poziom napięcia. Prąd przewodzącego tranzystora zaczyna płynąć do odpowiadającej temu tranzystorowi linii bitu. Zmiana stanu linii bitu jest wykrywana przez wzmacniacz odczytu. W fazie zapisu komórka jest wybierana w podobny sposób jak przy odczycie. Przy wysokim potencjale na linii słowa stan przerzutnika jest ustalony zależnie od kombinacji napięć w liniach bitów. Przy niskim poziomie napięcia na linii słowa żadne zmiany na liniach bitów nie wpływają na stan komórki.
    Niezależnie od sposobu rozwiązania wewnętrznej sieci logicznej układu scalonego na wejściach i wyjściach układu stosuje się standardowe układy (por. opisy różnych bramek TTL) zapewniające możliwość współpracy z innymi układami na warunkach obowiązujących dla układów określonej serii TTL.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Serwis układów falowników »

    Przekrój poprzeczny tranzystora MOS wykonanego technologią planarną. Na podłożu typu wykonano w wyniku dyfuzji obszary drenu i źródła. Powierzchnia krzemu pokryta jest warstwą izolatora (na ogół dwutlenku krzemu), na którego powierzchni znajdują się metaliczne połączenia między elementami układu scalonego MOS. Przez otwory (okna) w tej warstwie krzemu wykonane są połączenia do obszarów źródeł i drenu.
    Grubość warstwy dwutlenku krzemu wynosi około 1000 nm i jest to tzw. gruba warstwa tlenku. Nad obszarem kanału tranzystora MOS, między obszarami p źródła i drenu, grubość izolacyjnej warstwy tlenku wynosi tylko około 100 nm, co pozwala na sterowanie przewodnością tego kanału za pomocą potencjału elektrody bramki tranzystora MOS

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Budowa maszyn treningowych dla koni »

    Pierwsze z produkowanych dwufazowe układy dynamiczne MOS były oparte na rozwiązaniach stosowanych w układach statycznych, a różniły się od nich jedynie impulsowym zasilaniem końcówki UGG. Rozwiązania późniejsze w istotny sposób odbiegały od swych statycznych pierwowzorów.
    Dalszym etapem rozwoju bez współczynnikowych układów dynamicznych MOS dwufazowych są układy czterofazowe, to jest sterowane czterema sygnałami zegarowymi. Dla układów czterofazowych charakterystyczne są trzy rodzaje pracy:
    1. Ładowanie wstępne. Tranzystor obciążenia włączony przez właściwy sygnał zegarowy ładuje kondensator wyjściowy układu.
    2. Warunkowe rozładowanie. W zależności od wartości napięcia wejściowego kondensator pamiętający zostaje rozładowany lub nie. -
    3. Pamiętanie sygnału. Ładunek na kondensatorze wyjściowym nie ulega zmianie.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Falowniki przemysłowe »

    Po zaprojektowaniu sieci kombinacyjnej i sekwencyjnej, realizującej daną funkcję logiczną, przechodzi się do etapu realizacji projektu, korzystając z elementów dynamicznych MOS określonego typu: dwufazowych współczynnikowych lub bez współczynnikowych bądź czterofazowych. Przy tym muszą być spełnione warunki dotyczące możliwości obciążenia stopni sterowanych kolejnymi fazami sygnału zegarowego przez układy sterowane innymi fazami. Tak zrealizowany projekt poddaje się procesowi minimalizacji liczby elementów. Ten etap projektowania układów scalonych MOS jest szczególnie trudny i osiągnięte wyniki zależą w znacznym stopniu od doświadczenia i wyobraźni projektanta. Każdy z producentów układów scalonych MOS ma własne, pilnie strzeżone metody projektowania układów wielkoscalonych MOS. Z tego względu literatura na ten temat jest bardzo uboga.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Przekładnie przemysłowe »

    Następny etap rozwoju układów MOS o wielkiej skali integracji to pamięci półprzewodnikowe. Każda komórka pamięci w pamięciach statycznych zawiera statyczny przerzutnik złożony z dwóch połączonych inwerterów. Dodatkowe tranzystory MOS umożliwiają zapis i odczyt informacji z komórki. Typowym przedstawicielem takich pamięci jest 1024-bitowa pamięć statyczna o dostępie swobodnym 2102 A, w której zastosowano przerzutniki złożone z inwerterów statycznych typu 3, z tranzystorami o kanale n. Czas dostępu wynosi 500 ns (czas cyklu także 500 ns), a moc pobierana około 150 mW. Obecnie produkuje się już pamięci statyczne o pojemnościach do 8192 bitów. Czasy dostępu/cyklu różnych wersji pamięci statycznych MOS wynoszą 100-1000 ns, a moce pobierane 0, 1-M mW/bit.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Sterowanie napędami »

    Jeżeli nie podejmie się odpowiednich kroków dla właściwego dopasowania linii przesyłowych, to przesyłany sygnał cyfrowy zostanie zniekształcony wskutek odbić na końcach linii. Może to doprowadzić do przedłużenia rzeczywistego czasu propagacji sygnału wskutek tego, że zniekształcony sygnał, cyfrowy nie osiągnie poziomu przekraczającego ustalony poziom progowy.
    Należy także wspomnieć o przesłuchach będących wynikiem przenoszenia się wielko częstotliwościowych składowych sygnału z jednego przewodu na inne. Jest to szczególnie ważne tam, gdzie gęstość upakowania układów scalonych jest duża lub gdzie sygnały przesyłane są na duże odległości liniami przesyłowymi nieekranowanymi.
    Omówienie tych podstawowych zagadnień przesyłania sygnałów cyfrowych poprzedzimy krótkim przypomnieniem teorii linii przesyłowych oraz omówieniem parametrów powszechnie stosowanych typów linii.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Reduktory małych mocy »

    Długość przewodów oraz dwukierunkowość przesyłania sygnałów w szynie długiej determinują jej budowę. Jest to zespół dwukierunkowych linii przesyłowych z dopasowaniem równoległym z obydwu końców. Wzdłuż linii przesyłowej szyny można łączyć w dowolnym miejscu nadajniki i odbiorniki szyny. Ich parametry — rezystancja wejściowa i pojemność wejściowa dla odbiornika oraz upływność wyłączonego nadajnika i jego pojemność powinny być takie, aby zmiany parametrów falowych linii przesyłowej po ich przyłączeniu były nieznaczne.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Cennik grawerowania »

    Różnicowe przesyłanie sygnałów cyfrowych po symetrycznych dwuprzewodowych liniach przesyłowych umożliwia uzyskanie dużej szybkości przesyłania między urządzeniami o różnych potencjałach masy i w warunkach dużych zakłóceń. Ze względu na symetrię linii przesyłowej wszelkie zakłócenia oraz różnica potencjałów mas urządzeń wchodzą na obydwa przewody jednakowo i jeśli odbiornik sygnału różnicowego ma dostatecznie wielki zakres dopuszczalnych poziomów sygnałów wspólnych oraz odpowiednie tłumienie sygnałów wspólnych, zakłócenia nie mają wpływu na pracę układów.
    Ze względu na pożądaną dużą szybkość przesyłania sygnałów dwuprzewodowe linie przesyłowe są dopasowane, co umożliwia uniknięcie odbić w linii.
    Jeżeli nadajnikiem linii jest układ o niewielkiej rezystancji wyjściowej (źródło napięciowe), to linia może być dopasowana tylko na końcu odbiorczym. Jeśli natomiast nadajnikiem linii jest układ o dużej impedancji wyjściowej (źródło prądowe), linia musi być dopasowana na obydwu końcach.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »

Najnowsze wiadomości: