Przekładnie przemysłowe

Przekładnie przemysłowe Następny etap rozwoju układów MOS o wielkiej skali integracji to pamięci półprzewodnikowe. Każda komórka pamięci w pamięciach statycznych zawiera statyczny przerzutnik złożony z dwóch połączonych inwerterów. Dodatkowe tranzystory MOS umożliwiają zapis i odczyt informacji z komórki. Typowym przedstawicielem takich pamięci jest 1024-bitowa pamięć statyczna o dostępie swobodnym 2102 A, w której zastosowano przerzutniki złożone z inwerterów statycznych typu 3, z tranzystorami o kanale n. Czas dostępu wynosi 500 ns (czas cyklu także 500 ns), a moc pobierana około 150 mW. Obecnie produkuje się już pamięci statyczne o pojemnościach do 8192 bitów. Czasy dostępu/cyklu różnych wersji pamięci statycznych MOS wynoszą 100-1000 ns, a moce pobierane 0, 1-M mW/bit.

Szczegóły strony www.motoreduktory.eu:

Komentarze:

Dodaj swój komentarz »

Podlinkuj stronę www.motoreduktory.eu:

Przekładnie przemysłowe

Odwiedziny robotów:

Odwiedziny yahoo 42 Odwiedziny googlebot 68

Zobacz podobne wpisy w tej kategorii:

  • Sprzedaż falowników i przekładni »

    Oodstawowe układy TTL zaliczane do grupy układów o małej skali integracji. Naturalną tendencją konstruktorów jest dążenie do zwiększenia gęstości upakowania układów, a więc do zwiększenia skali integracji do poziomu, jaki umożliwia aktualny stan technologii półprzewodnikowych układów scalonych. Zwiększenie skali integracji układów scalonych jeszcze silniej uwypukla zalety koncepcji scalania. Rośnie szybkość przełączania układów i ich niezawodność, maleje zaś całkowita moc pobierana przez układy oraz zwiększa się ich gęstość upakowania. Stosowanie układów o zwiększonej skali integracji pozwala na uproszczenie i przyspieszenie projektowania i uruchamiania nowych urządzeń. Konstruktor urządzenia nie musi zajmować się projektami takich podzespołów jak liczniki, rejestry, dekodery, sumatory itd., może natomiast cały wysiłek skierować na optymalne wykorzystanie właściwości gotowych podzespołów — optymalne z punktu widzenia projektowanego urządzenia.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Falownik LG akcesoria »

    Jednym z ograniczeń, które występują przy projektowaniu układu scalonego, jest liczba wejść i wyjść układu. Liczba ta jest uzależniona od dopuszczalnej liczby końcówek standardowych obudów. Kompromis między funkcjonalną złożonością układu logicznego a liczbą końcówek obudowy staje się coraz trudniejszy do rozwiązania w miarę wzrostu skali integracji i niekiedy zmusza do stosowania sztucznych rozwiązań, polegających na przykład na przypisywaniu końcówkom różnych funkcji zależnie od stanów logicznych na innych końcówkach. Dodatkowym ograniczeniem wnoszonym przez obudowę jest maksymalna moc, jaka może się wydzielić w strukturze scalonej zamykanej w obudowie, co limituje liczbę elementów, jakie mogą wejść w skład scalonej sieci logicznej.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Sterowanie falownikami Vacon »

    W każdym tranzystorze jeden z emiterów jest połączony z jedną linią bitu, a drugi — ze wspólną linią słowa. W stanie spoczynku na linii słowa poziom napięcia jest niski, tak iż prąd przewodzącego tranzystora płynie do linii słowa. Dla odczytania informacji z komórki na linię słowa trzeba podać wysoki poziom napięcia. Prąd przewodzącego tranzystora zaczyna płynąć do odpowiadającej temu tranzystorowi linii bitu. Zmiana stanu linii bitu jest wykrywana przez wzmacniacz odczytu. W fazie zapisu komórka jest wybierana w podobny sposób jak przy odczycie. Przy wysokim potencjale na linii słowa stan przerzutnika jest ustalony zależnie od kombinacji napięć w liniach bitów. Przy niskim poziomie napięcia na linii słowa żadne zmiany na liniach bitów nie wpływają na stan komórki.
    Niezależnie od sposobu rozwiązania wewnętrznej sieci logicznej układu scalonego na wejściach i wyjściach układu stosuje się standardowe układy (por. opisy różnych bramek TTL) zapewniające możliwość współpracy z innymi układami na warunkach obowiązujących dla układów określonej serii TTL.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Schematy falowników Siemens »

    W zależności od sposobu wykonania tranzystora MOS możliwe jest uzyskanie dwóch rodzajów tranzystorów:
    a) tranzystora, który może przewodzić prąd między źródłem a drenem przy zerowym napięciu UGS między bramką a źródłem (jest to tranzystor z kanałem zubożanym lub inaczej — tranzystor z kanałem wbudowanym);
    b) tranzystora, w którym dla uzyskania przewodnictwa między drenem a źródłem niezbędne jest przyłożenie między bramką a źródłem napięcia UGS większego od napięcia progowego tranzystora (jest to tranzystor z kanałem wzbogacanym lub inaczej — tranzystor z kanałem indukowanym).

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Lenze dystrybutor »

    Tranzystory MOS mają kilka cech, które predestynują je do stosowania w cyfrowych układach scalonych. Są to następujące cechy.
    Jeżeli w układzie scalonym ograniczyć się do jednego typu tranzystorów, np. pMOS, to wszystkie tranzystory na tym samym podłożu są elektrycznie izolowane, gdyż potencjały występujące w układzie zapewniają polaryzację w kierunku zaporowym (lub w najgorszym razie polaryzację zerową) wszystkich złącz p-n. Nie ma więc potrzeby stosowania wysp izolowanych jak w układach bipolarnych. Jedynie w układach MOS o symetrii komplementarnej (zwanych układami COSMOS lub CMOS), zawierających tranzystory MOS, konieczne jest tworzenie wysp izolowanych dla tranzystorów nMOS.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Grawerowanie oznaczeń »

    Jednakże zasadniczą wadą tranzystorów MOS z kanałem n, wytwarzanych w zasadzie wyłącznie w krzemie o orientacji krystalograficznej (100) jest to, że są one normalnie włączone, to znaczy mają kanał wbudowany. Jednocześnie ładunek powierzchniowy w tlenku izolacyjnym na powierzchni krzemu powoduje powstanie, warstwy inwersyjnej w krzemie, zwierającej sąsiednie elementy.
    Można tego uniknąć przez zastosowanie dwóch środków:
    a) użycie bramki krzemowej zamiast bramki aluminiowej, która
    powoduje, że tranzystor z kanałem n jest normalnie wyłączony;
    b) zwiększenie przewodności powierzchniowej warstwy krzemu podłoża, co powoduje jednak zmniejszenie ruchliwości nośników i stratę zasadniczej zalety układów z tranzystorami n.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Falownik LG serwis »

    Jednakże dynamiczne rejestry przesuwające mają pewne zalety, które sprawiają, że są one szeroko stosowane. Impulsowe włączanie rezystorów obciążenia przez sygnał zegarowy powoduje, że moc tracona w przeliczeniu na 1 bit jest w nich znacznie mniejsza niż w innych układach. Ponadto w układach bez współczynnikowych stosowane są jednakowe tranzystory, o rozmiarach określonych jedynie przez pożądaną maksymalną częstotliwość pracy układu, znacznie mniejsze od typowych tranzystorów układów statycznych. Pozwala to na zmniejszenie powierzchni podłoża w stosunku do powierzchni podłoża rejestrów statycznych o takiej samej pojemności lub umieszczenie znacznie większej liczby bitów na tej samej powierzchni. Ma to zasadniczy wpływ na uzysk sprawnych układów w procesie produkcyjnym, a więc i na ich cenę. Małe rozmiary użytych tranzystorów pozwalają na zmniejszenie wszystkich pojemności pasożytniczych w układzie, a więc na skrócenie czasów przełączania. Tak na przykład, typowy dynamiczny dwufazowy rejestr przesuwający typu Am 1404A o pojemności 1024 bitów ma minimalną częstotliwość sygnału wejściowego 600 Hz w temperaturze T= 25°C (10 kHz w temperaturze 70°C), a maksymalną równą 5 MHz, przy czym moc pobierana nie przekracza 250 mW.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Sterowanie napędami »

    Jeżeli nie podejmie się odpowiednich kroków dla właściwego dopasowania linii przesyłowych, to przesyłany sygnał cyfrowy zostanie zniekształcony wskutek odbić na końcach linii. Może to doprowadzić do przedłużenia rzeczywistego czasu propagacji sygnału wskutek tego, że zniekształcony sygnał, cyfrowy nie osiągnie poziomu przekraczającego ustalony poziom progowy.
    Należy także wspomnieć o przesłuchach będących wynikiem przenoszenia się wielko częstotliwościowych składowych sygnału z jednego przewodu na inne. Jest to szczególnie ważne tam, gdzie gęstość upakowania układów scalonych jest duża lub gdzie sygnały przesyłane są na duże odległości liniami przesyłowymi nieekranowanymi.
    Omówienie tych podstawowych zagadnień przesyłania sygnałów cyfrowych poprzedzimy krótkim przypomnieniem teorii linii przesyłowych oraz omówieniem parametrów powszechnie stosowanych typów linii.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Sterowanie przemiennikami »

    W maszynie cyfrowej wykorzystującej szynę może jednocześnie odbywać się tylko jedna transmisja między dwoma dowolnymi spośród urządzeń przyłączonych do szyny długiej. W tej sytuacji jedyny sposób zwiększenia szybkości działania tej maszyny polega na zwiększeniu szybkości przesyłania sygnału przez szynę, zwiększenie bowiem szybkości działania procesora czy zmniejszenie czasu cyklu pamięci przez zastosowanie układów scalonych o bardzo dużej szybkości przełączania nie będzie miało wpływu na szybkość przesyłania informacji w szynie. Szybkość przesyłania informacji w szynie zależy od:
    — czasu propagacji sygnału przez nadajniki szyny,
    — czasu propagacji sygnału wzdłuż linii przesyłowych tworzących szynę,
    — różnicy czasu propagacji różnych sygnałów wzdłuż różnych przewodów szyny,
    — czasu propagacji sygnału przez odbiorniki szyny.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Softstarty Lovato »

    Jednoprzewodowe przesyłanie sygnałów cyfrowych stosowane jest tam, gdzie poziom zakłóceń indukowanych na przewodach linii przesyłowej jest niewielki oraz gdzie różnica potencjałów mas odbiornika i nadajnika jest znacznie mniejsza od minimalnej odporności odbiornika na zakłócenia.
    Przy jednoprzewodowym przesyłaniu sygnałów cyfrowych występuje jeszcze jeden rodzaj zakłóceń, które mają znaczny wpływ na możliwości przesyłania cyfrowych sygnałów unipolarnych. Są to przesłuchy między liniami przesyłowymi. Z tego względu wielu producentów sprzętu cyfrowego nie dopuszcza stosowania nieekranowanych linii przesyłowych, a stosowanie częściowo ekranowych niesymetrycznych linii przesyłowych (skrętki, w których jeden z przewodów jest przewodem sygnałowym, a drugi jest z obydwu końców przyłączony do masy podzespołów dopuszcza przy niewielkich odległościach, nie przekraczających kilkunastu metrów.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »

Najnowsze wiadomości: