Schematy falowników Siemens

Schematy falowników Siemens W zależności od sposobu wykonania tranzystora MOS możliwe jest uzyskanie dwóch rodzajów tranzystorów:
a) tranzystora, który może przewodzić prąd między źródłem a drenem przy zerowym napięciu UGS między bramką a źródłem (jest to tranzystor z kanałem zubożanym lub inaczej — tranzystor z kanałem wbudowanym);
b) tranzystora, w którym dla uzyskania przewodnictwa między drenem a źródłem niezbędne jest przyłożenie między bramką a źródłem napięcia UGS większego od napięcia progowego tranzystora (jest to tranzystor z kanałem wzbogacanym lub inaczej — tranzystor z kanałem indukowanym).

Szczegóły strony www.falownik.org:

Komentarze:

Dodaj swój komentarz »

Podlinkuj stronę www.falownik.org:

Schematy falowników Siemens

Odwiedziny robotów:

Odwiedziny yahoo 44 Odwiedziny googlebot 51

Zobacz podobne wpisy w tej kategorii:

  • Sterowanie falownikami Vacon »

    W każdym tranzystorze jeden z emiterów jest połączony z jedną linią bitu, a drugi — ze wspólną linią słowa. W stanie spoczynku na linii słowa poziom napięcia jest niski, tak iż prąd przewodzącego tranzystora płynie do linii słowa. Dla odczytania informacji z komórki na linię słowa trzeba podać wysoki poziom napięcia. Prąd przewodzącego tranzystora zaczyna płynąć do odpowiadającej temu tranzystorowi linii bitu. Zmiana stanu linii bitu jest wykrywana przez wzmacniacz odczytu. W fazie zapisu komórka jest wybierana w podobny sposób jak przy odczycie. Przy wysokim potencjale na linii słowa stan przerzutnika jest ustalony zależnie od kombinacji napięć w liniach bitów. Przy niskim poziomie napięcia na linii słowa żadne zmiany na liniach bitów nie wpływają na stan komórki.
    Niezależnie od sposobu rozwiązania wewnętrznej sieci logicznej układu scalonego na wejściach i wyjściach układu stosuje się standardowe układy (por. opisy różnych bramek TTL) zapewniające możliwość współpracy z innymi układami na warunkach obowiązujących dla układów określonej serii TTL.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Opisy grawerowane silników »

    Małe rozmiary tranzystora MOS pozwalają na budowę układów scalonych o wielkiej i bardzo wielkiej skali integracji, zawierających obecnie w jednej strukturze do 105 tranzystorów MOS. Jednocześnie prosta technologia pozwala na osiąganie uzysku sprawnych układów MOS dostatecznie dużego na to, aby ich produkcja była opłacalna.
    Rezystancja wejściowa tranzystorów MOS jest na tyle duża, że możliwe jest włączenie ich przez zgromadzenie ładunku na pojemności bramki takiego tranzystora. Właściwość ta jest wykorzystywana w konstrukcji układów dynamicznych MOS — logicznych i pamięciowych.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Grawerowanie oznaczeń »

    Jednakże zasadniczą wadą tranzystorów MOS z kanałem n, wytwarzanych w zasadzie wyłącznie w krzemie o orientacji krystalograficznej (100) jest to, że są one normalnie włączone, to znaczy mają kanał wbudowany. Jednocześnie ładunek powierzchniowy w tlenku izolacyjnym na powierzchni krzemu powoduje powstanie, warstwy inwersyjnej w krzemie, zwierającej sąsiednie elementy.
    Można tego uniknąć przez zastosowanie dwóch środków:
    a) użycie bramki krzemowej zamiast bramki aluminiowej, która
    powoduje, że tranzystor z kanałem n jest normalnie wyłączony;
    b) zwiększenie przewodności powierzchniowej warstwy krzemu podłoża, co powoduje jednak zmniejszenie ruchliwości nośników i stratę zasadniczej zalety układów z tranzystorami n.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Dane techniczne falowników »

    Podstawowy układ inwertera MOS i jego różne. Pozostałe podstawowe funktory logiczne oparte są na dwóch konfiguracjach:
    a) z szeregowo połączonymi tranzystorami przełącznikowymi,
    b) z równolegle połączonymi tranzystorami przełącznikowymi.
    Podstawowe funkcje logiczne realizuje się w tym przypadku podobnie jak w układach dwufazowych: przez szeregowe i równoległe łączenie tranzystorów przełącznikowych. W niektórych spośród stosowanych konfiguracji układów dynamicznych czterofazowych można zrealizować układy o minimalnym opóźnieniu, co pozwala na zwiększenie liczby poziomów funkcji logicznych wykonywanych w jednym okresie powtarzania sygnałów zegarowych. Bardziej szczegółowe omówienie układów dynamicznych czterofazowych znajduje się w pracy.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Falownik LG serwis »

    Jednakże dynamiczne rejestry przesuwające mają pewne zalety, które sprawiają, że są one szeroko stosowane. Impulsowe włączanie rezystorów obciążenia przez sygnał zegarowy powoduje, że moc tracona w przeliczeniu na 1 bit jest w nich znacznie mniejsza niż w innych układach. Ponadto w układach bez współczynnikowych stosowane są jednakowe tranzystory, o rozmiarach określonych jedynie przez pożądaną maksymalną częstotliwość pracy układu, znacznie mniejsze od typowych tranzystorów układów statycznych. Pozwala to na zmniejszenie powierzchni podłoża w stosunku do powierzchni podłoża rejestrów statycznych o takiej samej pojemności lub umieszczenie znacznie większej liczby bitów na tej samej powierzchni. Ma to zasadniczy wpływ na uzysk sprawnych układów w procesie produkcyjnym, a więc i na ich cenę. Małe rozmiary użytych tranzystorów pozwalają na zmniejszenie wszystkich pojemności pasożytniczych w układzie, a więc na skrócenie czasów przełączania. Tak na przykład, typowy dynamiczny dwufazowy rejestr przesuwający typu Am 1404A o pojemności 1024 bitów ma minimalną częstotliwość sygnału wejściowego 600 Hz w temperaturze T= 25°C (10 kHz w temperaturze 70°C), a maksymalną równą 5 MHz, przy czym moc pobierana nie przekracza 250 mW.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Przekładnie przemysłowe »

    Następny etap rozwoju układów MOS o wielkiej skali integracji to pamięci półprzewodnikowe. Każda komórka pamięci w pamięciach statycznych zawiera statyczny przerzutnik złożony z dwóch połączonych inwerterów. Dodatkowe tranzystory MOS umożliwiają zapis i odczyt informacji z komórki. Typowym przedstawicielem takich pamięci jest 1024-bitowa pamięć statyczna o dostępie swobodnym 2102 A, w której zastosowano przerzutniki złożone z inwerterów statycznych typu 3, z tranzystorami o kanale n. Czas dostępu wynosi 500 ns (czas cyklu także 500 ns), a moc pobierana około 150 mW. Obecnie produkuje się już pamięci statyczne o pojemnościach do 8192 bitów. Czasy dostępu/cyklu różnych wersji pamięci statycznych MOS wynoszą 100-1000 ns, a moce pobierane 0, 1-M mW/bit.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Automatyka prądu stałego »

    Przed przystąpieniem do omawiania szyny długiej i układów, jakie można w niej stosować, omówimy typową szynę stosowaną w minikomputerach PDP-11, zwaną UNIBUS, co pozwoli na uwypuklenie pewnych cech charakterystycznych dla wszystkich szyn długich.
    Szyna UNIBUS. Urządzenia peryferyjne, procesor i pamięć minikomputera PDP-11 są połączone za pomocą szyny UNIBUS według schematu.
    Sygnały. Szyna UNIBUS zawiera 56 przewodów do przesyłania sygnałów jednokierunkowych i dwukierunkowych. Sygnały jednokierunkowe to sygnały od podzespołów maszyny — procesora i urządzeń peryferyjnych do układu przyznawania kontroli nad szyną {układu koordynatora) oraz sygnały przyznania kontroli od tego układu do podzespołów maszyny. Sygnały dwukierunkowe to 16 sygnałów informacyjnych, 18 sygnałów adresowych oraz pewna liczba sygnałów sterujących.
    Wszystkie transmisje informacji poprzez szynę UNIBUS odbywają się między podzespołem, który otrzymał kontrolę nad szyną od układu koordynatora (master), a podzespołem podporządkowanym — zaadresowanym (slave).

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Napędy przemysłowe serwis »

    Jeżeli jedno z urządzeń wysyła dwa oddzielne sygnały do innego, poczynając od tego samego momentu, to z powodu różnej szybkości nadajników i odbiorników szyny i różnej szybkości propagacji sygnałów w przewodach szyny (wskutek różnego obciążenia pojemnościowego) może wystąpić opóźnienie tych sygnałów względem siebie. Układy współpracy z szyną UNIBUS są tak zaprojektowane, że ta różnica w czasie (skew) wynosi nie więcej niż 75 ns.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Sterowanie przemiennikami »

    W maszynie cyfrowej wykorzystującej szynę może jednocześnie odbywać się tylko jedna transmisja między dwoma dowolnymi spośród urządzeń przyłączonych do szyny długiej. W tej sytuacji jedyny sposób zwiększenia szybkości działania tej maszyny polega na zwiększeniu szybkości przesyłania sygnału przez szynę, zwiększenie bowiem szybkości działania procesora czy zmniejszenie czasu cyklu pamięci przez zastosowanie układów scalonych o bardzo dużej szybkości przełączania nie będzie miało wpływu na szybkość przesyłania informacji w szynie. Szybkość przesyłania informacji w szynie zależy od:
    — czasu propagacji sygnału przez nadajniki szyny,
    — czasu propagacji sygnału wzdłuż linii przesyłowych tworzących szynę,
    — różnicy czasu propagacji różnych sygnałów wzdłuż różnych przewodów szyny,
    — czasu propagacji sygnału przez odbiorniki szyny.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Softstarty Lovato »

    Jednoprzewodowe przesyłanie sygnałów cyfrowych stosowane jest tam, gdzie poziom zakłóceń indukowanych na przewodach linii przesyłowej jest niewielki oraz gdzie różnica potencjałów mas odbiornika i nadajnika jest znacznie mniejsza od minimalnej odporności odbiornika na zakłócenia.
    Przy jednoprzewodowym przesyłaniu sygnałów cyfrowych występuje jeszcze jeden rodzaj zakłóceń, które mają znaczny wpływ na możliwości przesyłania cyfrowych sygnałów unipolarnych. Są to przesłuchy między liniami przesyłowymi. Z tego względu wielu producentów sprzętu cyfrowego nie dopuszcza stosowania nieekranowanych linii przesyłowych, a stosowanie częściowo ekranowych niesymetrycznych linii przesyłowych (skrętki, w których jeden z przewodów jest przewodem sygnałowym, a drugi jest z obydwu końców przyłączony do masy podzespołów dopuszcza przy niewielkich odległościach, nie przekraczających kilkunastu metrów.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »

Najnowsze wiadomości: