Schematy falowników Siemens

Schematy falowników Siemens W zależności od sposobu wykonania tranzystora MOS możliwe jest uzyskanie dwóch rodzajów tranzystorów:
a) tranzystora, który może przewodzić prąd między źródłem a drenem przy zerowym napięciu UGS między bramką a źródłem (jest to tranzystor z kanałem zubożanym lub inaczej — tranzystor z kanałem wbudowanym);
b) tranzystora, w którym dla uzyskania przewodnictwa między drenem a źródłem niezbędne jest przyłożenie między bramką a źródłem napięcia UGS większego od napięcia progowego tranzystora (jest to tranzystor z kanałem wzbogacanym lub inaczej — tranzystor z kanałem indukowanym).

Szczegóły strony www.falownik.org:

Komentarze:

Dodaj swój komentarz »

Podlinkuj stronę www.falownik.org:

Schematy falowników Siemens

Odwiedziny robotów:

Odwiedziny yahoo 45 Odwiedziny googlebot 56

Zobacz podobne wpisy w tej kategorii:

  • Sprzedaż falowników i przekładni »

    Oodstawowe układy TTL zaliczane do grupy układów o małej skali integracji. Naturalną tendencją konstruktorów jest dążenie do zwiększenia gęstości upakowania układów, a więc do zwiększenia skali integracji do poziomu, jaki umożliwia aktualny stan technologii półprzewodnikowych układów scalonych. Zwiększenie skali integracji układów scalonych jeszcze silniej uwypukla zalety koncepcji scalania. Rośnie szybkość przełączania układów i ich niezawodność, maleje zaś całkowita moc pobierana przez układy oraz zwiększa się ich gęstość upakowania. Stosowanie układów o zwiększonej skali integracji pozwala na uproszczenie i przyspieszenie projektowania i uruchamiania nowych urządzeń. Konstruktor urządzenia nie musi zajmować się projektami takich podzespołów jak liczniki, rejestry, dekodery, sumatory itd., może natomiast cały wysiłek skierować na optymalne wykorzystanie właściwości gotowych podzespołów — optymalne z punktu widzenia projektowanego urządzenia.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Falownik LG akcesoria »

    Jednym z ograniczeń, które występują przy projektowaniu układu scalonego, jest liczba wejść i wyjść układu. Liczba ta jest uzależniona od dopuszczalnej liczby końcówek standardowych obudów. Kompromis między funkcjonalną złożonością układu logicznego a liczbą końcówek obudowy staje się coraz trudniejszy do rozwiązania w miarę wzrostu skali integracji i niekiedy zmusza do stosowania sztucznych rozwiązań, polegających na przykład na przypisywaniu końcówkom różnych funkcji zależnie od stanów logicznych na innych końcówkach. Dodatkowym ograniczeniem wnoszonym przez obudowę jest maksymalna moc, jaka może się wydzielić w strukturze scalonej zamykanej w obudowie, co limituje liczbę elementów, jakie mogą wejść w skład scalonej sieci logicznej.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Serwis układów falowników »

    Przekrój poprzeczny tranzystora MOS wykonanego technologią planarną. Na podłożu typu wykonano w wyniku dyfuzji obszary drenu i źródła. Powierzchnia krzemu pokryta jest warstwą izolatora (na ogół dwutlenku krzemu), na którego powierzchni znajdują się metaliczne połączenia między elementami układu scalonego MOS. Przez otwory (okna) w tej warstwie krzemu wykonane są połączenia do obszarów źródeł i drenu.
    Grubość warstwy dwutlenku krzemu wynosi około 1000 nm i jest to tzw. gruba warstwa tlenku. Nad obszarem kanału tranzystora MOS, między obszarami p źródła i drenu, grubość izolacyjnej warstwy tlenku wynosi tylko około 100 nm, co pozwala na sterowanie przewodnością tego kanału za pomocą potencjału elektrody bramki tranzystora MOS

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Napędy Danfoss »

    Powstawanie tranzystorów pasożytniczych MOS ogranicza dopuszczalne wartości napięć zasilania, jakie mogą być stosowane w układach scalonych MOS. Podano wartości uzyskiwanych napięć progowych UT i wartości napięć progowych UTF tranzystorów pasożytniczych dla czterech podstawowych technologii układów MOS z kanałem p:
    a) technologii wysoko progowej na krzemie o orientacji krystalograficznej (111) z bramką aluminiową:
    b) technologii nisko progowej na krzemie o orientacji (100) z bramką aluminiową;
    c) technologii z izolatorem w postaci warstw dwutlenku krzemu Si02 i azotku krzemu Si3N4 na krzemie o orientacji (111) z bramką aluminiową;
    d) technologii nisko progowej na krzemie o orientacji (111) z bramką krzemową.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Lenze dystrybutor »

    Tranzystory MOS mają kilka cech, które predestynują je do stosowania w cyfrowych układach scalonych. Są to następujące cechy.
    Jeżeli w układzie scalonym ograniczyć się do jednego typu tranzystorów, np. pMOS, to wszystkie tranzystory na tym samym podłożu są elektrycznie izolowane, gdyż potencjały występujące w układzie zapewniają polaryzację w kierunku zaporowym (lub w najgorszym razie polaryzację zerową) wszystkich złącz p-n. Nie ma więc potrzeby stosowania wysp izolowanych jak w układach bipolarnych. Jedynie w układach MOS o symetrii komplementarnej (zwanych układami COSMOS lub CMOS), zawierających tranzystory MOS, konieczne jest tworzenie wysp izolowanych dla tranzystorów nMOS.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Opisy grawerowane silników »

    Małe rozmiary tranzystora MOS pozwalają na budowę układów scalonych o wielkiej i bardzo wielkiej skali integracji, zawierających obecnie w jednej strukturze do 105 tranzystorów MOS. Jednocześnie prosta technologia pozwala na osiąganie uzysku sprawnych układów MOS dostatecznie dużego na to, aby ich produkcja była opłacalna.
    Rezystancja wejściowa tranzystorów MOS jest na tyle duża, że możliwe jest włączenie ich przez zgromadzenie ładunku na pojemności bramki takiego tranzystora. Właściwość ta jest wykorzystywana w konstrukcji układów dynamicznych MOS — logicznych i pamięciowych.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Automatyka prądu stałego »

    Przed przystąpieniem do omawiania szyny długiej i układów, jakie można w niej stosować, omówimy typową szynę stosowaną w minikomputerach PDP-11, zwaną UNIBUS, co pozwoli na uwypuklenie pewnych cech charakterystycznych dla wszystkich szyn długich.
    Szyna UNIBUS. Urządzenia peryferyjne, procesor i pamięć minikomputera PDP-11 są połączone za pomocą szyny UNIBUS według schematu.
    Sygnały. Szyna UNIBUS zawiera 56 przewodów do przesyłania sygnałów jednokierunkowych i dwukierunkowych. Sygnały jednokierunkowe to sygnały od podzespołów maszyny — procesora i urządzeń peryferyjnych do układu przyznawania kontroli nad szyną {układu koordynatora) oraz sygnały przyznania kontroli od tego układu do podzespołów maszyny. Sygnały dwukierunkowe to 16 sygnałów informacyjnych, 18 sygnałów adresowych oraz pewna liczba sygnałów sterujących.
    Wszystkie transmisje informacji poprzez szynę UNIBUS odbywają się między podzespołem, który otrzymał kontrolę nad szyną od układu koordynatora (master), a podzespołem podporządkowanym — zaadresowanym (slave).

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Napędy przemysłowe serwis »

    Jeżeli jedno z urządzeń wysyła dwa oddzielne sygnały do innego, poczynając od tego samego momentu, to z powodu różnej szybkości nadajników i odbiorników szyny i różnej szybkości propagacji sygnałów w przewodach szyny (wskutek różnego obciążenia pojemnościowego) może wystąpić opóźnienie tych sygnałów względem siebie. Układy współpracy z szyną UNIBUS są tak zaprojektowane, że ta różnica w czasie (skew) wynosi nie więcej niż 75 ns.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Sterowanie przemiennikami »

    W maszynie cyfrowej wykorzystującej szynę może jednocześnie odbywać się tylko jedna transmisja między dwoma dowolnymi spośród urządzeń przyłączonych do szyny długiej. W tej sytuacji jedyny sposób zwiększenia szybkości działania tej maszyny polega na zwiększeniu szybkości przesyłania sygnału przez szynę, zwiększenie bowiem szybkości działania procesora czy zmniejszenie czasu cyklu pamięci przez zastosowanie układów scalonych o bardzo dużej szybkości przełączania nie będzie miało wpływu na szybkość przesyłania informacji w szynie. Szybkość przesyłania informacji w szynie zależy od:
    — czasu propagacji sygnału przez nadajniki szyny,
    — czasu propagacji sygnału wzdłuż linii przesyłowych tworzących szynę,
    — różnicy czasu propagacji różnych sygnałów wzdłuż różnych przewodów szyny,
    — czasu propagacji sygnału przez odbiorniki szyny.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Softstarty Lovato »

    Jednoprzewodowe przesyłanie sygnałów cyfrowych stosowane jest tam, gdzie poziom zakłóceń indukowanych na przewodach linii przesyłowej jest niewielki oraz gdzie różnica potencjałów mas odbiornika i nadajnika jest znacznie mniejsza od minimalnej odporności odbiornika na zakłócenia.
    Przy jednoprzewodowym przesyłaniu sygnałów cyfrowych występuje jeszcze jeden rodzaj zakłóceń, które mają znaczny wpływ na możliwości przesyłania cyfrowych sygnałów unipolarnych. Są to przesłuchy między liniami przesyłowymi. Z tego względu wielu producentów sprzętu cyfrowego nie dopuszcza stosowania nieekranowanych linii przesyłowych, a stosowanie częściowo ekranowych niesymetrycznych linii przesyłowych (skrętki, w których jeden z przewodów jest przewodem sygnałowym, a drugi jest z obydwu końców przyłączony do masy podzespołów dopuszcza przy niewielkich odległościach, nie przekraczających kilkunastu metrów.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »

Najnowsze wiadomości: