Serwis układów falowników

Serwis układów falowników Przekrój poprzeczny tranzystora MOS wykonanego technologią planarną. Na podłożu typu wykonano w wyniku dyfuzji obszary drenu i źródła. Powierzchnia krzemu pokryta jest warstwą izolatora (na ogół dwutlenku krzemu), na którego powierzchni znajdują się metaliczne połączenia między elementami układu scalonego MOS. Przez otwory (okna) w tej warstwie krzemu wykonane są połączenia do obszarów źródeł i drenu.
Grubość warstwy dwutlenku krzemu wynosi około 1000 nm i jest to tzw. gruba warstwa tlenku. Nad obszarem kanału tranzystora MOS, między obszarami p źródła i drenu, grubość izolacyjnej warstwy tlenku wynosi tylko około 100 nm, co pozwala na sterowanie przewodnością tego kanału za pomocą potencjału elektrody bramki tranzystora MOS

Szczegóły strony www.falownik.info:

Komentarze:

Dodaj swój komentarz »

Podlinkuj stronę www.falownik.info:

Serwis układów falowników

Odwiedziny robotów:

Odwiedziny yahoo 36 Odwiedziny googlebot 73

Zobacz podobne wpisy w tej kategorii:

  • Sterowanie falownikami Vacon »

    W każdym tranzystorze jeden z emiterów jest połączony z jedną linią bitu, a drugi — ze wspólną linią słowa. W stanie spoczynku na linii słowa poziom napięcia jest niski, tak iż prąd przewodzącego tranzystora płynie do linii słowa. Dla odczytania informacji z komórki na linię słowa trzeba podać wysoki poziom napięcia. Prąd przewodzącego tranzystora zaczyna płynąć do odpowiadającej temu tranzystorowi linii bitu. Zmiana stanu linii bitu jest wykrywana przez wzmacniacz odczytu. W fazie zapisu komórka jest wybierana w podobny sposób jak przy odczycie. Przy wysokim potencjale na linii słowa stan przerzutnika jest ustalony zależnie od kombinacji napięć w liniach bitów. Przy niskim poziomie napięcia na linii słowa żadne zmiany na liniach bitów nie wpływają na stan komórki.
    Niezależnie od sposobu rozwiązania wewnętrznej sieci logicznej układu scalonego na wejściach i wyjściach układu stosuje się standardowe układy (por. opisy różnych bramek TTL) zapewniające możliwość współpracy z innymi układami na warunkach obowiązujących dla układów określonej serii TTL.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Schematy falowników Siemens »

    W zależności od sposobu wykonania tranzystora MOS możliwe jest uzyskanie dwóch rodzajów tranzystorów:
    a) tranzystora, który może przewodzić prąd między źródłem a drenem przy zerowym napięciu UGS między bramką a źródłem (jest to tranzystor z kanałem zubożanym lub inaczej — tranzystor z kanałem wbudowanym);
    b) tranzystora, w którym dla uzyskania przewodnictwa między drenem a źródłem niezbędne jest przyłożenie między bramką a źródłem napięcia UGS większego od napięcia progowego tranzystora (jest to tranzystor z kanałem wzbogacanym lub inaczej — tranzystor z kanałem indukowanym).

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Napędy Danfoss »

    Powstawanie tranzystorów pasożytniczych MOS ogranicza dopuszczalne wartości napięć zasilania, jakie mogą być stosowane w układach scalonych MOS. Podano wartości uzyskiwanych napięć progowych UT i wartości napięć progowych UTF tranzystorów pasożytniczych dla czterech podstawowych technologii układów MOS z kanałem p:
    a) technologii wysoko progowej na krzemie o orientacji krystalograficznej (111) z bramką aluminiową:
    b) technologii nisko progowej na krzemie o orientacji (100) z bramką aluminiową;
    c) technologii z izolatorem w postaci warstw dwutlenku krzemu Si02 i azotku krzemu Si3N4 na krzemie o orientacji (111) z bramką aluminiową;
    d) technologii nisko progowej na krzemie o orientacji (111) z bramką krzemową.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Grawerowanie oznaczeń »

    Jednakże zasadniczą wadą tranzystorów MOS z kanałem n, wytwarzanych w zasadzie wyłącznie w krzemie o orientacji krystalograficznej (100) jest to, że są one normalnie włączone, to znaczy mają kanał wbudowany. Jednocześnie ładunek powierzchniowy w tlenku izolacyjnym na powierzchni krzemu powoduje powstanie, warstwy inwersyjnej w krzemie, zwierającej sąsiednie elementy.
    Można tego uniknąć przez zastosowanie dwóch środków:
    a) użycie bramki krzemowej zamiast bramki aluminiowej, która
    powoduje, że tranzystor z kanałem n jest normalnie wyłączony;
    b) zwiększenie przewodności powierzchniowej warstwy krzemu podłoża, co powoduje jednak zmniejszenie ruchliwości nośników i stratę zasadniczej zalety układów z tranzystorami n.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Dane techniczne falowników »

    Podstawowy układ inwertera MOS i jego różne. Pozostałe podstawowe funktory logiczne oparte są na dwóch konfiguracjach:
    a) z szeregowo połączonymi tranzystorami przełącznikowymi,
    b) z równolegle połączonymi tranzystorami przełącznikowymi.
    Podstawowe funkcje logiczne realizuje się w tym przypadku podobnie jak w układach dwufazowych: przez szeregowe i równoległe łączenie tranzystorów przełącznikowych. W niektórych spośród stosowanych konfiguracji układów dynamicznych czterofazowych można zrealizować układy o minimalnym opóźnieniu, co pozwala na zwiększenie liczby poziomów funkcji logicznych wykonywanych w jednym okresie powtarzania sygnałów zegarowych. Bardziej szczegółowe omówienie układów dynamicznych czterofazowych znajduje się w pracy.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Falownik LG serwis »

    Jednakże dynamiczne rejestry przesuwające mają pewne zalety, które sprawiają, że są one szeroko stosowane. Impulsowe włączanie rezystorów obciążenia przez sygnał zegarowy powoduje, że moc tracona w przeliczeniu na 1 bit jest w nich znacznie mniejsza niż w innych układach. Ponadto w układach bez współczynnikowych stosowane są jednakowe tranzystory, o rozmiarach określonych jedynie przez pożądaną maksymalną częstotliwość pracy układu, znacznie mniejsze od typowych tranzystorów układów statycznych. Pozwala to na zmniejszenie powierzchni podłoża w stosunku do powierzchni podłoża rejestrów statycznych o takiej samej pojemności lub umieszczenie znacznie większej liczby bitów na tej samej powierzchni. Ma to zasadniczy wpływ na uzysk sprawnych układów w procesie produkcyjnym, a więc i na ich cenę. Małe rozmiary użytych tranzystorów pozwalają na zmniejszenie wszystkich pojemności pasożytniczych w układzie, a więc na skrócenie czasów przełączania. Tak na przykład, typowy dynamiczny dwufazowy rejestr przesuwający typu Am 1404A o pojemności 1024 bitów ma minimalną częstotliwość sygnału wejściowego 600 Hz w temperaturze T= 25°C (10 kHz w temperaturze 70°C), a maksymalną równą 5 MHz, przy czym moc pobierana nie przekracza 250 mW.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Napędy przemysłowe serwis »

    Jeżeli jedno z urządzeń wysyła dwa oddzielne sygnały do innego, poczynając od tego samego momentu, to z powodu różnej szybkości nadajników i odbiorników szyny i różnej szybkości propagacji sygnałów w przewodach szyny (wskutek różnego obciążenia pojemnościowego) może wystąpić opóźnienie tych sygnałów względem siebie. Układy współpracy z szyną UNIBUS są tak zaprojektowane, że ta różnica w czasie (skew) wynosi nie więcej niż 75 ns.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Reduktory małych mocy »

    Długość przewodów oraz dwukierunkowość przesyłania sygnałów w szynie długiej determinują jej budowę. Jest to zespół dwukierunkowych linii przesyłowych z dopasowaniem równoległym z obydwu końców. Wzdłuż linii przesyłowej szyny można łączyć w dowolnym miejscu nadajniki i odbiorniki szyny. Ich parametry — rezystancja wejściowa i pojemność wejściowa dla odbiornika oraz upływność wyłączonego nadajnika i jego pojemność powinny być takie, aby zmiany parametrów falowych linii przesyłowej po ich przyłączeniu były nieznaczne.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Softstarty Lovato »

    Jednoprzewodowe przesyłanie sygnałów cyfrowych stosowane jest tam, gdzie poziom zakłóceń indukowanych na przewodach linii przesyłowej jest niewielki oraz gdzie różnica potencjałów mas odbiornika i nadajnika jest znacznie mniejsza od minimalnej odporności odbiornika na zakłócenia.
    Przy jednoprzewodowym przesyłaniu sygnałów cyfrowych występuje jeszcze jeden rodzaj zakłóceń, które mają znaczny wpływ na możliwości przesyłania cyfrowych sygnałów unipolarnych. Są to przesłuchy między liniami przesyłowymi. Z tego względu wielu producentów sprzętu cyfrowego nie dopuszcza stosowania nieekranowanych linii przesyłowych, a stosowanie częściowo ekranowych niesymetrycznych linii przesyłowych (skrętki, w których jeden z przewodów jest przewodem sygnałowym, a drugi jest z obydwu końców przyłączony do masy podzespołów dopuszcza przy niewielkich odległościach, nie przekraczających kilkunastu metrów.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Cennik grawerowania »

    Różnicowe przesyłanie sygnałów cyfrowych po symetrycznych dwuprzewodowych liniach przesyłowych umożliwia uzyskanie dużej szybkości przesyłania między urządzeniami o różnych potencjałach masy i w warunkach dużych zakłóceń. Ze względu na symetrię linii przesyłowej wszelkie zakłócenia oraz różnica potencjałów mas urządzeń wchodzą na obydwa przewody jednakowo i jeśli odbiornik sygnału różnicowego ma dostatecznie wielki zakres dopuszczalnych poziomów sygnałów wspólnych oraz odpowiednie tłumienie sygnałów wspólnych, zakłócenia nie mają wpływu na pracę układów.
    Ze względu na pożądaną dużą szybkość przesyłania sygnałów dwuprzewodowe linie przesyłowe są dopasowane, co umożliwia uniknięcie odbić w linii.
    Jeżeli nadajnikiem linii jest układ o niewielkiej rezystancji wyjściowej (źródło napięciowe), to linia może być dopasowana tylko na końcu odbiorczym. Jeśli natomiast nadajnikiem linii jest układ o dużej impedancji wyjściowej (źródło prądowe), linia musi być dopasowana na obydwu końcach.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »

Najnowsze wiadomości: