Sterowanie przemiennikami

Sterowanie przemiennikami W maszynie cyfrowej wykorzystującej szynę może jednocześnie odbywać się tylko jedna transmisja między dwoma dowolnymi spośród urządzeń przyłączonych do szyny długiej. W tej sytuacji jedyny sposób zwiększenia szybkości działania tej maszyny polega na zwiększeniu szybkości przesyłania sygnału przez szynę, zwiększenie bowiem szybkości działania procesora czy zmniejszenie czasu cyklu pamięci przez zastosowanie układów scalonych o bardzo dużej szybkości przełączania nie będzie miało wpływu na szybkość przesyłania informacji w szynie. Szybkość przesyłania informacji w szynie zależy od:
— czasu propagacji sygnału przez nadajniki szyny,
— czasu propagacji sygnału wzdłuż linii przesyłowych tworzących szynę,
— różnicy czasu propagacji różnych sygnałów wzdłuż różnych przewodów szyny,
— czasu propagacji sygnału przez odbiorniki szyny.

Szczegóły strony www.przemienniki.info:

Komentarze:

Dodaj swój komentarz »

Podlinkuj stronę www.przemienniki.info:

Sterowanie przemiennikami

Odwiedziny robotów:

Odwiedziny yahoo 42 Odwiedziny googlebot 84

Zobacz podobne wpisy w tej kategorii:

  • Sprzedaż falowników i przekładni »

    Oodstawowe układy TTL zaliczane do grupy układów o małej skali integracji. Naturalną tendencją konstruktorów jest dążenie do zwiększenia gęstości upakowania układów, a więc do zwiększenia skali integracji do poziomu, jaki umożliwia aktualny stan technologii półprzewodnikowych układów scalonych. Zwiększenie skali integracji układów scalonych jeszcze silniej uwypukla zalety koncepcji scalania. Rośnie szybkość przełączania układów i ich niezawodność, maleje zaś całkowita moc pobierana przez układy oraz zwiększa się ich gęstość upakowania. Stosowanie układów o zwiększonej skali integracji pozwala na uproszczenie i przyspieszenie projektowania i uruchamiania nowych urządzeń. Konstruktor urządzenia nie musi zajmować się projektami takich podzespołów jak liczniki, rejestry, dekodery, sumatory itd., może natomiast cały wysiłek skierować na optymalne wykorzystanie właściwości gotowych podzespołów — optymalne z punktu widzenia projektowanego urządzenia.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Falownik LG akcesoria »

    Jednym z ograniczeń, które występują przy projektowaniu układu scalonego, jest liczba wejść i wyjść układu. Liczba ta jest uzależniona od dopuszczalnej liczby końcówek standardowych obudów. Kompromis między funkcjonalną złożonością układu logicznego a liczbą końcówek obudowy staje się coraz trudniejszy do rozwiązania w miarę wzrostu skali integracji i niekiedy zmusza do stosowania sztucznych rozwiązań, polegających na przykład na przypisywaniu końcówkom różnych funkcji zależnie od stanów logicznych na innych końcówkach. Dodatkowym ograniczeniem wnoszonym przez obudowę jest maksymalna moc, jaka może się wydzielić w strukturze scalonej zamykanej w obudowie, co limituje liczbę elementów, jakie mogą wejść w skład scalonej sieci logicznej.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Sterowanie falownikami Vacon »

    W każdym tranzystorze jeden z emiterów jest połączony z jedną linią bitu, a drugi — ze wspólną linią słowa. W stanie spoczynku na linii słowa poziom napięcia jest niski, tak iż prąd przewodzącego tranzystora płynie do linii słowa. Dla odczytania informacji z komórki na linię słowa trzeba podać wysoki poziom napięcia. Prąd przewodzącego tranzystora zaczyna płynąć do odpowiadającej temu tranzystorowi linii bitu. Zmiana stanu linii bitu jest wykrywana przez wzmacniacz odczytu. W fazie zapisu komórka jest wybierana w podobny sposób jak przy odczycie. Przy wysokim potencjale na linii słowa stan przerzutnika jest ustalony zależnie od kombinacji napięć w liniach bitów. Przy niskim poziomie napięcia na linii słowa żadne zmiany na liniach bitów nie wpływają na stan komórki.
    Niezależnie od sposobu rozwiązania wewnętrznej sieci logicznej układu scalonego na wejściach i wyjściach układu stosuje się standardowe układy (por. opisy różnych bramek TTL) zapewniające możliwość współpracy z innymi układami na warunkach obowiązujących dla układów określonej serii TTL.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Serwis układów falowników »

    Przekrój poprzeczny tranzystora MOS wykonanego technologią planarną. Na podłożu typu wykonano w wyniku dyfuzji obszary drenu i źródła. Powierzchnia krzemu pokryta jest warstwą izolatora (na ogół dwutlenku krzemu), na którego powierzchni znajdują się metaliczne połączenia między elementami układu scalonego MOS. Przez otwory (okna) w tej warstwie krzemu wykonane są połączenia do obszarów źródeł i drenu.
    Grubość warstwy dwutlenku krzemu wynosi około 1000 nm i jest to tzw. gruba warstwa tlenku. Nad obszarem kanału tranzystora MOS, między obszarami p źródła i drenu, grubość izolacyjnej warstwy tlenku wynosi tylko około 100 nm, co pozwala na sterowanie przewodnością tego kanału za pomocą potencjału elektrody bramki tranzystora MOS

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Schematy falowników Siemens »

    W zależności od sposobu wykonania tranzystora MOS możliwe jest uzyskanie dwóch rodzajów tranzystorów:
    a) tranzystora, który może przewodzić prąd między źródłem a drenem przy zerowym napięciu UGS między bramką a źródłem (jest to tranzystor z kanałem zubożanym lub inaczej — tranzystor z kanałem wbudowanym);
    b) tranzystora, w którym dla uzyskania przewodnictwa między drenem a źródłem niezbędne jest przyłożenie między bramką a źródłem napięcia UGS większego od napięcia progowego tranzystora (jest to tranzystor z kanałem wzbogacanym lub inaczej — tranzystor z kanałem indukowanym).

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Napędy Danfoss »

    Powstawanie tranzystorów pasożytniczych MOS ogranicza dopuszczalne wartości napięć zasilania, jakie mogą być stosowane w układach scalonych MOS. Podano wartości uzyskiwanych napięć progowych UT i wartości napięć progowych UTF tranzystorów pasożytniczych dla czterech podstawowych technologii układów MOS z kanałem p:
    a) technologii wysoko progowej na krzemie o orientacji krystalograficznej (111) z bramką aluminiową:
    b) technologii nisko progowej na krzemie o orientacji (100) z bramką aluminiową;
    c) technologii z izolatorem w postaci warstw dwutlenku krzemu Si02 i azotku krzemu Si3N4 na krzemie o orientacji (111) z bramką aluminiową;
    d) technologii nisko progowej na krzemie o orientacji (111) z bramką krzemową.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Grawerowanie oznaczeń »

    Jednakże zasadniczą wadą tranzystorów MOS z kanałem n, wytwarzanych w zasadzie wyłącznie w krzemie o orientacji krystalograficznej (100) jest to, że są one normalnie włączone, to znaczy mają kanał wbudowany. Jednocześnie ładunek powierzchniowy w tlenku izolacyjnym na powierzchni krzemu powoduje powstanie, warstwy inwersyjnej w krzemie, zwierającej sąsiednie elementy.
    Można tego uniknąć przez zastosowanie dwóch środków:
    a) użycie bramki krzemowej zamiast bramki aluminiowej, która
    powoduje, że tranzystor z kanałem n jest normalnie wyłączony;
    b) zwiększenie przewodności powierzchniowej warstwy krzemu podłoża, co powoduje jednak zmniejszenie ruchliwości nośników i stratę zasadniczej zalety układów z tranzystorami n.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Budowa maszyn treningowych dla koni »

    Pierwsze z produkowanych dwufazowe układy dynamiczne MOS były oparte na rozwiązaniach stosowanych w układach statycznych, a różniły się od nich jedynie impulsowym zasilaniem końcówki UGG. Rozwiązania późniejsze w istotny sposób odbiegały od swych statycznych pierwowzorów.
    Dalszym etapem rozwoju bez współczynnikowych układów dynamicznych MOS dwufazowych są układy czterofazowe, to jest sterowane czterema sygnałami zegarowymi. Dla układów czterofazowych charakterystyczne są trzy rodzaje pracy:
    1. Ładowanie wstępne. Tranzystor obciążenia włączony przez właściwy sygnał zegarowy ładuje kondensator wyjściowy układu.
    2. Warunkowe rozładowanie. W zależności od wartości napięcia wejściowego kondensator pamiętający zostaje rozładowany lub nie. -
    3. Pamiętanie sygnału. Ładunek na kondensatorze wyjściowym nie ulega zmianie.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Przekładnie przemysłowe »

    Następny etap rozwoju układów MOS o wielkiej skali integracji to pamięci półprzewodnikowe. Każda komórka pamięci w pamięciach statycznych zawiera statyczny przerzutnik złożony z dwóch połączonych inwerterów. Dodatkowe tranzystory MOS umożliwiają zapis i odczyt informacji z komórki. Typowym przedstawicielem takich pamięci jest 1024-bitowa pamięć statyczna o dostępie swobodnym 2102 A, w której zastosowano przerzutniki złożone z inwerterów statycznych typu 3, z tranzystorami o kanale n. Czas dostępu wynosi 500 ns (czas cyklu także 500 ns), a moc pobierana około 150 mW. Obecnie produkuje się już pamięci statyczne o pojemnościach do 8192 bitów. Czasy dostępu/cyklu różnych wersji pamięci statycznych MOS wynoszą 100-1000 ns, a moce pobierane 0, 1-M mW/bit.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Cennik grawerowania »

    Różnicowe przesyłanie sygnałów cyfrowych po symetrycznych dwuprzewodowych liniach przesyłowych umożliwia uzyskanie dużej szybkości przesyłania między urządzeniami o różnych potencjałach masy i w warunkach dużych zakłóceń. Ze względu na symetrię linii przesyłowej wszelkie zakłócenia oraz różnica potencjałów mas urządzeń wchodzą na obydwa przewody jednakowo i jeśli odbiornik sygnału różnicowego ma dostatecznie wielki zakres dopuszczalnych poziomów sygnałów wspólnych oraz odpowiednie tłumienie sygnałów wspólnych, zakłócenia nie mają wpływu na pracę układów.
    Ze względu na pożądaną dużą szybkość przesyłania sygnałów dwuprzewodowe linie przesyłowe są dopasowane, co umożliwia uniknięcie odbić w linii.
    Jeżeli nadajnikiem linii jest układ o niewielkiej rezystancji wyjściowej (źródło napięciowe), to linia może być dopasowana tylko na końcu odbiorczym. Jeśli natomiast nadajnikiem linii jest układ o dużej impedancji wyjściowej (źródło prądowe), linia musi być dopasowana na obydwu końcach.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »

Najnowsze wiadomości: