Strony związane z hasłem 'opisy':

  • Cennik grawerowania »

    Różnicowe przesyłanie sygnałów cyfrowych po symetrycznych dwuprzewodowych liniach przesyłowych umożliwia uzyskanie dużej szybkości przesyłania między urządzeniami o różnych potencjałach masy i w warunkach dużych zakłóceń. Ze względu na symetrię linii przesyłowej wszelkie zakłócenia oraz różnica potencjałów mas urządzeń wchodzą na obydwa przewody jednakowo i jeśli odbiornik sygnału różnicowego ma dostatecznie wielki zakres dopuszczalnych poziomów sygnałów wspólnych oraz odpowiednie tłumienie sygnałów wspólnych, zakłócenia nie mają wpływu na pracę układów.
    Ze względu na pożądaną dużą szybkość przesyłania sygnałów dwuprzewodowe linie przesyłowe są dopasowane, co umożliwia uniknięcie odbić w linii.
    Jeżeli nadajnikiem linii jest układ o niewielkiej rezystancji wyjściowej (źródło napięciowe), to linia może być dopasowana tylko na końcu odbiorczym. Jeśli natomiast nadajnikiem linii jest układ o dużej impedancji wyjściowej (źródło prądowe), linia musi być dopasowana na obydwu końcach.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Opisy grawerowane silników »

    Małe rozmiary tranzystora MOS pozwalają na budowę układów scalonych o wielkiej i bardzo wielkiej skali integracji, zawierających obecnie w jednej strukturze do 105 tranzystorów MOS. Jednocześnie prosta technologia pozwala na osiąganie uzysku sprawnych układów MOS dostatecznie dużego na to, aby ich produkcja była opłacalna.
    Rezystancja wejściowa tranzystorów MOS jest na tyle duża, że możliwe jest włączenie ich przez zgromadzenie ładunku na pojemności bramki takiego tranzystora. Właściwość ta jest wykorzystywana w konstrukcji układów dynamicznych MOS — logicznych i pamięciowych.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Grawerowanie oznaczeń »

    Jednakże zasadniczą wadą tranzystorów MOS z kanałem n, wytwarzanych w zasadzie wyłącznie w krzemie o orientacji krystalograficznej (100) jest to, że są one normalnie włączone, to znaczy mają kanał wbudowany. Jednocześnie ładunek powierzchniowy w tlenku izolacyjnym na powierzchni krzemu powoduje powstanie, warstwy inwersyjnej w krzemie, zwierającej sąsiednie elementy.
    Można tego uniknąć przez zastosowanie dwóch środków:
    a) użycie bramki krzemowej zamiast bramki aluminiowej, która
    powoduje, że tranzystor z kanałem n jest normalnie wyłączony;
    b) zwiększenie przewodności powierzchniowej warstwy krzemu podłoża, co powoduje jednak zmniejszenie ruchliwości nośników i stratę zasadniczej zalety układów z tranzystorami n.

    Data dodania: 18 12 2014 · szczegóły wpisu »